Дослідження дефектоутворення кремнію, легованого домішками срібла та гадолінію, методом спектроскопії комбінаційного розсіювання

  • Шаріфа Б. Утамурадова Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки Національного університету Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-1718-1122
  • Шахрух Х. Далієв Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки Національного університету Узбекистану, Ташкент, Узбекистан
  • Ельміра М. Наурзалієва Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки Національного університету Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-5110-1851
  • Хушніда Ю. Утемуратова Каракалпакський державний університет, м. Нукус, Каракалпакстан
Ключові слова: кремній, гадоліній, срібло, спектри комбінаційного розсіювання, легування, складні дефекти

Анотація

Кремній, легований домішками гадолінію та срібла, досліджували на раманівському спектрометрі Renishaw InVia. Проведено реєстрацію та ідентифікацію компонентів як кристалічної, так і аморфної фази у зразках. Спостерігаються деякі зміни спектрів комбінаційного розсіювання зразків кремнію, легованих гадолинием, проти вихідним зразком. Експериментально встановлено, що збільшення концентрації домішки срібла в легованому кремнієм гадолинием призводить до згладжування спектра комбінаційного розсіювання, що свідчить про формування більш досконалої кристалічної структури.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, Geliotekhnika. 41(1), 80 (2005).

Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, I.Kh. Khamidzhonov, A.Zh. Akbarov, I.K. Mirzairova, and Zh. Akimova, Inorganic Materials, 37(5), 436 (2001). https://doi.org/10.1023/A:1017556212569

B.E. Egamberdiev, Sh.B. Utamurodova, S.A. Tachilin, M.A. Karimov, K.Yu. Rashidov, A.R. Kakhramonov, M.K. Kurbanov, et al., Applied Solar Energy, 58(4), 490 (2022). https://doi.org/10.3103/S0003701X22040065

Sh.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, K.M. Fayzullaev, and B.A. Bakirov, Applied Physics, (2), 33 (2022). https://applphys.orion-ir.ru/appl-22/22-2/PF-22-2-33_RU.pdf (in Russian)

M. Yang, D. Huang, P. Hao, F. Zhang, X. Hou, and X. Wang, J. Appl. Phys. 75 (1), 651 (1993). https://doi.org/10.1063/1.355808

H. Tanino, A. Kuprin, and H. Deai, Phys. Rev. B, 53 (4), 1937 (1996), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.53.1937

Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliyev, K.M. Fayzullayev, D.A. Rakhmanov, and J.Sh. Zarifbayev, New Materials, Compounds and Applications, 7(1), 37 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/V7N1/Utamuradova_et_al.pdf

N.R.C. Raju, K.J. Kumar, and A. Subrahmanyam, AIP Conference Proceedings, 1267(1), 1005 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3482261

Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, Sh.Kh. Daliev, and K.M. Fayzullaev, Applied Physics, (6), 90 (2019).

T. Grzyb, R.J. Wiglusz, V. Nagirnyi, A. Kotlov, and S. Lisa, Dalton Trans. 43(18), 6925 (2014), https://doi.org/10.1039/C4DT00338A

M. Ivanda, O. Gamulin, and W. Kiefer, Journal of Molecular Structure. 480–481, 651 (1999), https://doi.org/10.1016/s0022-2860(98)00922-3

W. Wei, Vacuum. 81(7), 857 (2007). https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2006.10.005

D. Abidi, B. Jusserand, and J.-L. Fave, Phys. Rev. B, 82(7), 075210 (2010), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.075210

C. Smit, R.A. C.M.M. van Swaaij, H. Donker, A.M.H.N. Petit, W.M.M. Kessels and M.C.M. van de Sanden, Journal of Applied Physics 94(5), 3582 (2003), https://doi.org/10.1063/1.1596364

A.M. Grishin, A. Jalalian, and M.I. Tsindlekht, AIP Advances 5(5), 057104 (2015), https://doi.org/10.1063/1.4919810

P. G. Spizzirri, J.-H. Fang, S. Rubanov, E. Gauja, S. Prawer, Materials Forum. 34, (2010).

S. Agnello, D. Di Francesca, A. Alessi, G. Iovino, M. Cannas, S. Girard, A. Boukenter, and Y. Ouerdane, Journal of Applied Physics. 114(10), 104305 (2013), https://doi.org/10.1063/1.4820940

Sh.B. Utamuradova, and E.M. Naurzalieva, Semiconductor Physics and Microelectronics. 4(1), 8 (2022) (in Russian)

Цитування

CVC Structure of PtSi - Si-M in a Wide Range of Temperatures
Mamadalimov Abdugafur T., Isaev Makhmudkhodja Sh., Atamirzaev Tokhirjon U., Ernazarov Shamsiddin N. & Karimov Mukhtor K. (2024) East European Journal of Physics
Crossref

Influence of Doping Conditions on the Properties of Nickel Atom Clusters
Ismailov Kanatbay A., Saparniyazova Zlikha M., Kudeshova Gulchekhra T., Seytimbetova Gulbadan A. & Saparov Fayzulla A. (2024) East European Journal of Physics
Crossref

The Surface Layer Morphology of Si Samples
Isaev M.Sh., Khudayberdieva A.I., Mamatkulov M.N., Asatov U.T. & Kodirov S.R. (2024) East European Journal of Physics
Crossref

Defect Formation in MIS Structures Based on Silicon with an Impurity of Ytterbium
Daliev Khodjakbar S., Utamuradova Sharifa B., Khamdamov Jonibek J., Bekmuratov Mansur, Yusupov Oralbay N., Norkulov Shahriyor B. & Matchonov Khusniddin J. (2024) East European Journal of Physics
Crossref

Structure Determination and Defect Analysis n-Si, p-Si Raman Spectrometer Methods
Daliev Khodjakbar S., Utamuradova Sharifa B., Bahronkulov Zavkiddin E., Khaitbaev Alisher Kh. & Hamdamov Jonibek J. (2023) East European Journal of Physics
Crossref

Опубліковано
2023-09-04
Цитовано
Як цитувати
Утамурадова, Ш. Б., Далієв, Ш. Х., Наурзалієва, Е. М., & Утемуратова, Х. Ю. (2023). Дослідження дефектоутворення кремнію, легованого домішками срібла та гадолінію, методом спектроскопії комбінаційного розсіювання. Східно-європейський фізичний журнал, (3), 430-433. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-47

Найбільш популярні статті цього автора (авторів)