Визначення чутливості напівпровідникових детекторів гамма-випромінювання
Анотація
Методом Монте-Карло досліджені властивості функцій відгуку кімнатно-температурних детекторів гамма-випромінювання на основі широкозонних напівпровідників. Показано, що для ряду напівпровідників можна отримати наближені формули, що пов’язують чутливість детекторів в діапазоні 0,06…3 МеВ з енергією монохроматичного випромінювання, що поглинається. Визначені області енергій гамма-квантів і товщини детекторів, де справедливі отримані залежності. Також визначені області максимальної похибки наближених формул.
Завантаження
Посилання
Demir D., Onder P., Oznuluer T. Performance of CdTe detector in the 13–1333 keV energy range // Radiation Physics and Chemistry. – 2010. – Vol. 79. – P. 1132–1136.
Захарченко А.А., Хажмурадов М.А. Исследование свойств полупроводниковых детекторов ядерных излучений методом Монте-Карло. Ч. 1: Полупроводниковые детекторы гамма-излучения / Препринт ХФТИ. Харьков, ХФТИ. – 2011.
Sang W., Wei J., Qi Z. et al. Primary study on the contact degradation mechanism of CdZnTe detectors // // Nucl. Instr. & Meth. A. – 2004. – Vol. 527. – P. 487–492.
Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения: ГОСТ 18177-81. – [Действует с 1983–01–01]. – М.: Издательство стандартов, 1982. – 20 с.
XCOM: Photon cross sections database [электронный ресурс] : NIST Standard Reference Database 8 (XGAM) / M. Berger, J. Hubbell, S. Seltzer, et al. // Режим доступа к базе данных : http://physics.nist.gov/PhysRefData/Xcom/Text/XCOM.html
Горев В.С., Кожемякин В.А., Матвеев О.А. и др. Применение детекторов на основе теллурида кадмия в дозиметрии гамма-излучения // Приборы и техника эксперимента. – 1981. – № 1.– С. 60–64.
Залетин В.М., Кривозубов О.В., Topлин М.А., Фомин В.И. Радиометрические и дозиметрические характеристики HgI2-детекторов // Атомная энергия. – 1987. – Т. 63, вып. 4. – С. 274–277.
Akutagawa W., Zanio K. Gamma response of semi-insulating material in the presence of trapping and detrapping // J. Appl. Phys. – 1969. – Vol. 40. – P. 3838–3854.
Ruzin A., Nemirovsky Y. Statistical Models for Charge Collection Efficiency and Variance in Semiconductor Spectrometers // J. Appl. Phys. – 1997. – Vol. 82, No. 6. – P. 2754-2758.
Hossain A., Xu L., Bolotnikov A.E. et al. Distribution of Te inclusions in a CdZnTe wafer and their effects on the electrical properties of fabricated devices // Nucl. Instr. & Meth. A. – 2011. – Vol. 652. – P. 146–148.
Hossain A., Bolotnikov A., Camarda G. et al. Extended defects in CdZnTe crystals: Effects on device performance // Journal of Crystal Growth. – 2010. – Vol. 312. – P. 1795–1799.
Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. Транспорт носителей заряда в отожженных крупно- и мелкозернистых поликристаллах CdTe // Физика и техника полупроводников. – 2006. – том 40, вып. 9. – С. 1028–1032.
Yang G., Bolotnikov A.E., Camarda G.S. et al. Electric field distribution of cadmium zinc telluride (CZT) detectors / Hard X-Ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XI, Proc. of SPIE. – 2009. – Vol. 7449, 74490C1–7.
Gerrish V. Polarization and gain in mercuric iodide gamma-ray spectrometers // Nucl. Instr. & Meth. A. – 1992. – Vol. 322. – P. 402-413.
Захарченко А.А., Веревкин А.А., Кутний В.Е., Рыбка А.В., Хажмурадов М.А. Моделирование функции отклика CdZnTe детекторов для дозиметрии гамма-излучения // Вісник харківського національного університету. Серія фізична «Ядра, частинки, поля». – 2008. – № 832, вип. 4(40). – С. 71–76.
Захарченко А.А. Верификация моделей полупроводниковых детекторов гамма-излучения // Вісник харківського національного університету. Серія фізична «Ядра, частинки, поля». – 2011, № 955, вып. 2(50), – С. 51–59.
Zakharchenko A.A., Prokhorenko I.M., Khazhmuradov M.A. Statistical Characteristics of Pulse-Height Spectra of Gamma-Radiation Detectors Based on the Mercuric Compounds / 18th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD-2011), 23 – 29 October 2011, Valencia, Spain. – Paper RTSD.S-273.
Skrypnyk A.I., Zakharchenko A.A., Khazhmuradov M.A. Comparison of GEANT4 with EGSnrc for simulation of gamma-radiation detectors based on semi-insulating materials // Problems of atomic science and technology, Series: Nuclear Physics Investigations (56). – 2011, no 5. – P. 93–100.
Kawrakow I., Mainegra-Hing E., Rogers D. EGSnrcMP, the new multiplatform version of EGSnrc // Med. Phys. – 2004. – Vol. 31. – P. 1731.
Baciak J.E., He Z. Spectroscopy on Thick HgI2 Detectors: A Comparison Between Planar and Pixelated Electrodes // IEEE Transactions on nuclear science. – 2003. – Vol. 50, no. 4. – P. 1220–1224.
Клименко И.А., Комарь В.К., Мигаль В.П., Наливайко Д.П. Влияние упругих полей ростовых дефектов на фотодиэлектрический отклик кристаллов Cd1-xZnxTe // Физика и техника полупроводников. – 2001. – Т. 35, вып. 2. – С. 139–142.
Owens A. Compound Semiconductor Radiation Detectors / Taylor & Francis; 1 edition, 2012. – 567 pages
van den Berg L., Vigil R.D. Fabrication of mercuric iodide radiation detectors // Nucl. Instr. & Meth. A. – 2001. – Vol. 458, no. 1-2. – P. 148–151.
Hitomi K., Kikuchi Y., Shoji T., Ishii K. Improvement of energy resolutions in TlBr detectors // Nucl. Instr. & Meth. A. – 2009. – Vol. 607, no 1. – P. 112 –115.
Owens A., Bavdaz M., Andersson H. et al. The X-ray response of CdZnTe // Nucl. Instr. & Meth. A. – 2002. – Vol. 484, no 1-3. – P. 242–250.
GLP Series Planar HPGe Low-Energy Detector. Product Configuration Guide. [электронный ресурс] / Режим доступа : www.ortec-online.com/download/GLP.pdf
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).