Оптоелектронні властивості потрійних тетраедричних напівпровідників
DOI:
https://doi.org/10.26565/2312-4334-2021-1-10Ключові слова:
іонність кристалів, середній атомний номер, халькопіритиАнотація
Діелектрична інтерпретація іонності кристалів, розроблена Філіпсом та Ван Вехтеном (P.V.V), була використана для оцінки різних властивостей основного стану для широкого спектра напівпровідників та ізоляторів. Однак актуальність теорії діелектриків P.V.V. обмежена лише простими структурованими сполуками ANB8-N, які мають певний зв’язок. Левін розширив P.V.V. теорію іонності для кристалів з багатьма зв’язками та комплексних кристалів та оцінив багато параметрів зв’язку для потрійних тетраедричних напівпровідників. Деякі інші дослідники розширили роботу Левіна за допомогою концепції іонного заряду та відстані до найближчого оточення на бінарні та потрійні тетраедричні кристали для оцінки властивостей основного стану. У цій роботі для розуміння деяких електронних та оптичних властивостей, таких як іонний зазор (Ec), середня енергетична щілина (Eg), іонність кристалів (fi), електронна сприйнятливість (χ) та діелектрична проникність (ϵ) потрійних чотиригранних напівпровідників (AIIBIV and AIBIII) була використана нова гіпотеза середнього атомного числа елементів у сполуках. Відмічається досить прийнятна відповідність оцінених значень з оцінками зробленими інших іншими дослідниками.
Посилання
Neeraj, Pravesh, R. Gautam, S. Pal, C. Mohan, S. Kumari, S.R. Bhardwaj, and A.S. Verma, J. Nanoelectronics and Optoelectronics, 14, 759 (2019), https://doi.org/10.1166/jno.2019.2553.
S. Tomar, R. Gautam, Pravesh, C. Mohan, S.K. Gupta, S.R. Bhardwaj, and A.S. Verma, Chalcognide Letters, 16, 1 (2019), https://chalcogen.ro/1_TomarS.pdf.
J.L. Shay, and J.H. Wernick, Ternary Chalcopyrite Semi-conductors: Growth, Electronic Properties and Applications (Pergamon Press, Oxford, 1975), pp.11, 12 and 73.
N. Yamamoto, Ph.D. Thesis, University of Osaka, Japan (1976).
J.E. Jaffe, and A. Zunger, Phys. Rev. B, 20, 1882 (1984), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.29.1882.
R. Marquez, and C. Rincon, Phys. Stat. Sol. (b), 191, 115 (1995), https://doi.org/10.1002/pssb.2221910112.
M.I. Alonso, K. Wakita, J. Pascual, and N. Yamamoto, Phys. Rev. B, 63, 75203 (2001), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.63.075203.
Xiaoshu Jiang, and W.R.L. Lambrecht, Phys. Rev. B, 69, 035201 (2004), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.69.035201.
F. Chiker, B. Abbar, A. Tadjer, S. Bresson, B. Khelifa, and C. Mathieu, Physica B, 349, 181 (2004), https://doi.org/10.1016/j.physb.2004.03.087.
V. Kumar, and B.S.R. Sastry, J. Phys. Chem. Solids, 66, 99 (2005), https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2004.08.034.
A.H. Reshak, Physica B, 369, 243 (2005), https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.08.038.
L.K. Samanta, and S. Chaterjee, Infrared Phys. Technol. 46, 370 (2005), https://doi.org/10.1016/j.infrared.2004.06.009.
A. Chahed, O. Benhelal, H. Rozale, S. Laksari, and N. Abbouni, Phys. Status Solidi B, 244, 629 (2007), https://doi.org/10.1002/pssb.200642050.
B.F. Levine, Phys. Rev. B, 7, 2591, 2600 (1973), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.7.2591.
J.A. van Vechten, Phys. Rev. 182, 891 (1969), https://doi.org/10.1103/PhysRev.182.891.
J.C. Phillips, and J.A. Van Vechten, Phys. Rev. B, 2, 2147 (1970), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.2.2147.
J.C. Phillips, Rev. Mod. Phys. 42, 317 (1970), https://doi.org/10.1103/RevModPhys.42.317.
D.R. Penn, Phys. Rev. 128, 2093 (1962), https://doi.org/10.1103/PhysRev.128.2093.
O.P. Singh, and V.P. Gupta, Phys. Stat. Sol. (b), 137, 97 (1986), https://doi.org/10.1002/pssb.2221370112.
V. Kumar, and G.M. Prasad, J. Phys. Chem. Solids, 50, 899 (1989), https://doi.org/10.1016/0022-3697(89)90037-1.
V. Kumar Srivastava, J. Phys. C: Solid State Phys. 19, 5689 (1986), https://doi.org/10.1088/0022-3719/19/28/019.
V. Kumar Srivastsva, Phys. Rev. B, 29, 6993 (1984), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.29.6993.
A.S. Verma, Solid State Commun. 149, 1236 (2009), https://doi.org/10.1016/j.ssc.2009.04.011.
L. Pauling, The Nature of Chemical Bond (Ithaca, NY: Cornell University Press, 1906).
L. Marton, L.B. Leder, and H. Mendlowitz, in: Advances in Electronics and Electron Physics, Vol. 7, edited by L. Marton (Academic Press, New York, 1955), p. 225.
H.R. Philipp, and H. Ehrenreich, Phys. Rev. 129, 1530 (1963), https://doi.org/10.1103/PhysRev.129.1550.
H. Raether, Ergeb, Exakten Naturwiss. (Germany) 38, 84 (1965).
C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 4th ed. (Wiley, New York, 1971), (Second Wiley Eastern Re-print, New Delhi, 1974), pp. 227.
J.C. Phillips, Bonds and Bands in Semiconductors (Academic Press, New York, (1973).
O.P. Singh, and V.P. Gupta, Phys. Status Solidi (b), 129, K153, (1985).
A. Jayaraman, B. Batlogg, R.G. Maines, and H. Bach, Phys. Rev. B, 26, 3347 (1982), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.26.3347.
D.B. Srideshmukh, and K.G. Subhadra, J. Appl. Phys. 59, 276 (1986), https://doi.org/10.1063/1.336826.
K.S. Krishnan, and S.K. Roy, Proc. R. Soc. London, 210, 481 (1952), https://doi.org/10.1098/rspa.1952.0014.
A.S. Verma, and S.R. Bhardwaj, Phys. Stat. Sol. (b), 243, 4025 (2006), https://doi.org/10.1002/pssb.200642229.
V. Kumar, J. Phys. Chem. Solids, 48, 827 (1987), https://doi.org/10.1016/0022-3697(87)90033-3.
V. Kumar Srivastava, Phys. Rev. B, 36, 5044 (1987), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.36.5044.
H. Neumann, Cryst. Res. Technol. 18, 1299, 1391, 665, 901 (1983), https://doi.org/10.1002/crat.2170181016.
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
