Статичні характеристики діодів з гетеропереходом GaAs-AlGaAs для генерації НВЧ – шуму

Автор(и)

  • О. В. Боцула Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна, 4, пл. Свободи, Харків,61077, Україна, Тел.(0572) 7051262

Ключові слова:

ударна іонізація, статичний катодний домен, вольтамперні характеристики, гетероперехід, пробивні напруги

Анотація

Розглядаються діоди, в яких за певних умов утворюється катодний статичний домен. В таких діодах виникає ударна іонізація, лавинно-прольотний ефект і шумова генерація в широкому діапазоні частот.
Аналіз роботи діода проводився з використанням методу Монте-Карло. Враховано можливість виникнення ударної іонізації та наявність носіїв обох знаків Отримані розподіли концентрації носіїв та електричного поля в діодах. Показано, що введення гетеропереходу в більшій мірі впливає на положення максимуму напруженості електричного поля, ніж на його величину. Вольтамперні характеристкики діодів, що розглядалися, демонструють однакову якісну поведінку: сублінійне зростання струму з тенденцією до насичення до певних напруг та суперлінійне зростання струму, що пов’язане з ударною іонізацією в домені сильного поля.

Завантаження

Як цитувати

Статичні характеристики діодів з гетеропереходом GaAs-AlGaAs для генерації НВЧ – шуму. (2016). Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка», 24, 91–94. https://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/6391

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають