Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states densitY pSi-nCdS — heterojunction
Keywords:
ultrasonic, photodiode, heterojunction
Abstract
Determined distribution density of surface states depending on the magnitude of the surface potential at the nCdS/Si(p) heterojunction. It is established that ultrasonic processing of such photo diodes leads to reduction of the surface states density on the heterojunction interface and raises the spectral and integral sensitivity of photodiodes.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Беляев А. П., Рубец В. П. Эффект переключения в гетеропереходах SiCdS, синтезированных в резко неравновесных условиях // ФТП. — 2002. — Т. 36, вып. 7. — С. 843—846.
Трегулов В. В. Исследование фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p) // Вестник ТГТУ. — 2010. — Т. 16, вып. 4. — Transactions TSTU. — С. 892—896.
Саидов А. С., Лейдерман А. Ю., Усмонов Ш. Н., Холиков К. Т. Вольтамперная характеристика pn структур на основе непрерывного твердого раствора (Si2)1– x(CdS)x// ФТП. — 2009. — Т. 43, вып. 4. — С. 436—438.
Сапаев И. Б. Особенности электрических и фотоэлектрических свойств AupSinCdSn+CdS гетероструктур // ДАН. — Узбекистан. — 2013, вып. 2. — С. 27—29.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов., том 1 под редакцией д. ф. — м. н. Р. А. Суриса. —М.: «Мир», 1984.
Мирсагатов Ш. А., Утениязов А. К. Инжекционный фотодиод на основе pCdTe // Письма в ЖТФ. — 2012. — Т. 38, вып. 1. — С. 70—76.
Трегулов В. В. Способ определения плотности поверхностных состояний CdS/Si(p) на основе анализа вольтфарадных характеристик // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. — 2012. — № 3 (23). — С. 124—132.
Милнс А., Фойхт Д. // Гетеропереходы и переходы металлполупроводник. Под ред. проф. В. С. Вавилова. — М.: «Мир», 1975.
Островский И. В., Стобленко Л. П., Надточий А. Б. Образование поверхностного упрочненного слоя в бездислокационном кремнии при ультразвуковой обработки // ФТП. — 2000. — Т. 34, вып. 3. — С. 257— 260.
Трегулов В. В. Исследование фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p) // Вестник ТГТУ. — 2010. — Т. 16, вып. 4. — Transactions TSTU. — С. 892—896.
Саидов А. С., Лейдерман А. Ю., Усмонов Ш. Н., Холиков К. Т. Вольтамперная характеристика pn структур на основе непрерывного твердого раствора (Si2)1– x(CdS)x// ФТП. — 2009. — Т. 43, вып. 4. — С. 436—438.
Сапаев И. Б. Особенности электрических и фотоэлектрических свойств AupSinCdSn+CdS гетероструктур // ДАН. — Узбекистан. — 2013, вып. 2. — С. 27—29.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов., том 1 под редакцией д. ф. — м. н. Р. А. Суриса. —М.: «Мир», 1984.
Мирсагатов Ш. А., Утениязов А. К. Инжекционный фотодиод на основе pCdTe // Письма в ЖТФ. — 2012. — Т. 38, вып. 1. — С. 70—76.
Трегулов В. В. Способ определения плотности поверхностных состояний CdS/Si(p) на основе анализа вольтфарадных характеристик // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. — 2012. — № 3 (23). — С. 124—132.
Милнс А., Фойхт Д. // Гетеропереходы и переходы металлполупроводник. Под ред. проф. В. С. Вавилова. — М.: «Мир», 1975.
Островский И. В., Стобленко Л. П., Надточий А. Б. Образование поверхностного упрочненного слоя в бездислокационном кремнии при ультразвуковой обработки // ФТП. — 2000. — Т. 34, вып. 3. — С. 257— 260.
Published
2017-07-05
How to Cite
Сапаев, И. Б., & Мирсагатов, Ш. А. (2017). Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states densitY pSi-nCdS — heterojunction. Journal of Surface Physics and Engineering, 12(2), 197-201. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8588
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
