The effect of thermal treatment on the properties of the InSe AND GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
Keywords:
layered crystal, annealing, vanadium, cobalt, doping, impedance
Abstract
The spectral dependences of the impedance and dielectric susceptibility of the InSe and GaSe crystals doped by cobalt and vanadium selenide were investigated. The strong frequency dependence of the dielectric susceptibility of the doped GaSe<Co> crystals was established. We have shown the effect of annealing in vacuum on electrical properties of the InSe and GaSe crystals doped by cobalt and va nadium selenide as well as the dependence of the electrical resistance of the doped crystals vs. the an nealing temperature.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Товстюк К. Д. Полупроводниковое материаловедение. — К.: «Наукова думка», 1984. — 264 с. 2.
Медведева З. С. Халькогениды элементов ІІІБ подгруппы периодической системы. — М.: «Наука», 1968 — 216 с.
Ковалюк З. Д., Политанская О. А., Литовчен ко П. Г., Ластовецкий В. Ф., Литовченко О. П., Дубовой В. К., Поливцев Л. А. Влияниеней тронного облучения на фотоэлектрические параметры структур рnInSe // Письма в ЖТФ. — 2007. — Т. 33, вып. 18. — С. 14—22.
Магнетизм наносистем на основе редкоземельных и 3dпереходных металлов // Хрестоматия под ред. В. О. Васьковского — Екатеринбург, 2007. — 266 с.
Kuhn A., Chevy A., Chevalier R., Crystal structure and interatomic distance in GaSe // Phys. Stat. Sol. (b). — 1975. — Vol. 31, No. 2. — Р. 469—473.
Демчина Л. А., Ковалюк З. Д., Минтянский И. В. Изготовление омических контактов к слоистым монокристаллам типа А3В6 // Приборы и техника эксперимента. — 1980. — № 2. — C. 219. 7.
Ластивка Г. И. Влияние низкотемпературного отжига на спектры ЯКР и характеристики гетерофотодиодов на основе GaSeInSe / Г. И. Ластивка, О. Н. Сидор, З. Д. Ковалюк, А. Г. Хандожко // Восточноевропейский журнал передовых технологий. — 2010. — Т. 10, № 4/5. — С.28—34.
Бахтинов А. П., Водопьянов В. Н., Ковалюк З. Д., Нетяга В. В., Литвин О. С. Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный метал)(слоистый полупроводник) Ni/pGaSe // ФТП. — 2010. — Т. 44, № 2. — С. 180—193.
Ковалюк З. Д., Боледзюк В. Б., Шевчик В. В., Камінський В. М., Шевченко А. Д. Ви ник нення феромагнетизму в шаруватих на пів провідниках GaSe, інтеркальованих кобальтом // Восточноевропейский журнал пе редовых технологий. — 2012. — Т. 56, № 2/5. — С. 12—15.
Ковалюк З. Д., Сидор О. Н., Ластивка Г. И., Хандожко А. Г. Влияние отжига на спектры ядерного квадрупольного резонанса селенидов галлияиндия и характеристики структур на их основе // ФТП. — 2012 — Т. 46, № 9. — С. 1168—1174.
Houdy P., Maurice J. L., Besson J. M., La va J. Y. Twodimensional defects in InSe, A. Che vy, Go rochov // J. Appl. Phys. — 1987. — Vol. 61, No. 12. — P. 5267—5271.
Kuroda N., Nishina Y. Interlationship between bond ionicity and lattice instability of IIIVI layer compounds // J. Phys. Soc. Jap. — 1981. — Vol. 50, No. 9. — P. 2969—2977.
Shigetomi S., Ikari T., and Nishmura N. Anne aling Behavior of Layered Semiconductor pGaSе Single Crystal / Phys. Stat. Sol. A. — 2001. — Vol. 185, No. 2, — P. 341—348.
Медведева З. С. Халькогениды элементов ІІІБ подгруппы периодической системы. — М.: «Наука», 1968 — 216 с.
Ковалюк З. Д., Политанская О. А., Литовчен ко П. Г., Ластовецкий В. Ф., Литовченко О. П., Дубовой В. К., Поливцев Л. А. Влияниеней тронного облучения на фотоэлектрические параметры структур рnInSe // Письма в ЖТФ. — 2007. — Т. 33, вып. 18. — С. 14—22.
Магнетизм наносистем на основе редкоземельных и 3dпереходных металлов // Хрестоматия под ред. В. О. Васьковского — Екатеринбург, 2007. — 266 с.
Kuhn A., Chevy A., Chevalier R., Crystal structure and interatomic distance in GaSe // Phys. Stat. Sol. (b). — 1975. — Vol. 31, No. 2. — Р. 469—473.
Демчина Л. А., Ковалюк З. Д., Минтянский И. В. Изготовление омических контактов к слоистым монокристаллам типа А3В6 // Приборы и техника эксперимента. — 1980. — № 2. — C. 219. 7.
Ластивка Г. И. Влияние низкотемпературного отжига на спектры ЯКР и характеристики гетерофотодиодов на основе GaSeInSe / Г. И. Ластивка, О. Н. Сидор, З. Д. Ковалюк, А. Г. Хандожко // Восточноевропейский журнал передовых технологий. — 2010. — Т. 10, № 4/5. — С.28—34.
Бахтинов А. П., Водопьянов В. Н., Ковалюк З. Д., Нетяга В. В., Литвин О. С. Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный метал)(слоистый полупроводник) Ni/pGaSe // ФТП. — 2010. — Т. 44, № 2. — С. 180—193.
Ковалюк З. Д., Боледзюк В. Б., Шевчик В. В., Камінський В. М., Шевченко А. Д. Ви ник нення феромагнетизму в шаруватих на пів провідниках GaSe, інтеркальованих кобальтом // Восточноевропейский журнал пе редовых технологий. — 2012. — Т. 56, № 2/5. — С. 12—15.
Ковалюк З. Д., Сидор О. Н., Ластивка Г. И., Хандожко А. Г. Влияние отжига на спектры ядерного квадрупольного резонанса селенидов галлияиндия и характеристики структур на их основе // ФТП. — 2012 — Т. 46, № 9. — С. 1168—1174.
Houdy P., Maurice J. L., Besson J. M., La va J. Y. Twodimensional defects in InSe, A. Che vy, Go rochov // J. Appl. Phys. — 1987. — Vol. 61, No. 12. — P. 5267—5271.
Kuroda N., Nishina Y. Interlationship between bond ionicity and lattice instability of IIIVI layer compounds // J. Phys. Soc. Jap. — 1981. — Vol. 50, No. 9. — P. 2969—2977.
Shigetomi S., Ikari T., and Nishmura N. Anne aling Behavior of Layered Semiconductor pGaSе Single Crystal / Phys. Stat. Sol. A. — 2001. — Vol. 185, No. 2, — P. 341—348.
Published
2017-07-05
How to Cite
Ковалюк, З. Д., Шевчик, В. В., Боледзюк, В. Б., & Нетяга, В. В. (2017). The effect of thermal treatment on the properties of the InSe AND GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem. Journal of Surface Physics and Engineering, 12(2), 190-196. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8587
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
