Influence alkali metal atoms on the photoelectric properties of polycrystalline silicon solar cells

  • Л. О. Олимов Андижанский машиностроительный институт
  • Б. М. Абдурахманов Андижанский машиностроительный институт
  • Ф. Л. Омонобоев Андижанский машиностроительный институт
  • А. Х. Юсупов Андижанский машиностроительный институт
  • З. М. Сохибова Андижанский машиностроительный институт
Keywords: polycrystalline silicon, grain boundaries, solar cells, alkali metal impurity impurity photovoltaic effect

Abstract

The paper presents the results of an experimental study of the effect of the alkali metal on the photoelectric properties of polycrystalline silicon solar cells. It is shown that the presence of alkali metal atoms at the grain boundaries leads to an increase in radiation resistance of the solar cell caused by the increased density of the impurity states at the grain surface.

 

polycrystalline silicon; grain boundaries; solar cells; alkali metal impurity impurity photovoltaic effect

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

Л. О. Олимов, Андижанский машиностроительный институт
с.н.с.
Б. М. Абдурахманов, Андижанский машиностроительный институт
с.н.с.
Ф. Л. Омонобоев, Андижанский машиностроительный институт
с.н.с.
А. Х. Юсупов, Андижанский машиностроительный институт
с.н.с.
З. М. Сохибова, Андижанский машиностроительный институт
с.н.с.

References

Олимов Л. О., Абдурахманов Б. М., Омонбоев Ф. Л. Переключение тока и напряжения при нагреве беспереходного поликристаллического кремния, легированного ще лочными металлами в области межзеренных границ // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 4–8.

Оlіmov L. О. Adsorption of Alkali Metals and Their Effect on Electronic Properties of Grain Boundaries in Bulk of Polycrystalline Silicon // Semiconductors. — 2010. — Vol. 44, No. 5. — P. 602–604.

Оlіmov L. О. Effect of Alkali Metals on the Electronic Properties of Grain Boundaries on a Polycrystalline Silicon Surface // Semiconductors. — 2012. — Vol. 46, No. 7. — P. 898–900.

Olimov L. O. Influence of Alkali Metals on Electrical Resistance of Poly-Si Structures for Solar Cells // Applied Solar Energy. — 2008. — Vol. 44 (2). — 142 p.

Олимов Л. О. Автореф. канд. дисс. г. Андижан, Андижанский Государственный университет, 1999.

Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения: Пер. С англ. / Под. ред. Харбек Г. — М.: «Мир», 1989.

Заставной А. В., Король В. М. Взаимодействие лития с радиационным дефектами в кремнии // ФТП. — 1989. — Т. 23, вып. 2. — С. 369–372.

Захидов Р. А., Койфман А. И., Смоляк А. М. Исследование возможностей повышения устойчивости кремниевых фотопреобразователей // Гелиотехника. — 1994. — № 1. — C. 16–18.

Олимов Л. О., Муйдинова М., Омонбоев Ф. Л. Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 212–215.
Published
2017-04-05
How to Cite
Олимов, Л. О., Абдурахманов, Б. М., Омонобоев, Ф. Л., Юсупов, А. Х., & Сохибова, З. М. (2017). Influence alkali metal atoms on the photoelectric properties of polycrystalline silicon solar cells. Journal of Surface Physics and Engineering, 1(3), 263-267. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8313