Mechanism of current transport in heterojunctions p-Cu2ZnSnS4/n-Si

  • А. Юсупов Ташкентский автомобильно-дорожный институт
  • К. Адамбаев Ташкентский автомобильно-дорожный институт
  • З. З. Тураев Ташкентский автомобильно-дорожный институт
  • С. Р. Алиев Ташкентский автомобильно-дорожный институт
Keywords: heterojunction, current transfer, tunneling mechanism

Abstract

Studied the electrical properties of heterojunctions anizo-type p-Cu2ZnSnS4/n-Si, received sulfurization base metal layers previously deposited on a silicon substrate. We discuss the current-voltage characteristics and established the dominant mechanism of current-voltage direct at (3kT/e < V < 0.7 eV) dominated tunnel-recombination processes involving defective conditions at the interface of heterojunction, increasing the voltage (V > 0.8 V). Newman dominated tunneling mechanism. Reverse current through the studied heterojunctions analyzed in the framework of current-tunneling mechanism.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

А. Юсупов, Ташкентский автомобильно-дорожный институт
с.н.с.
К. Адамбаев, Ташкентский автомобильно-дорожный институт
с.н.с.
З. З. Тураев, Ташкентский автомобильно-дорожный институт
с.н.с.
С. Р. Алиев, Ташкентский автомобильно-дорожный институт
с.н.с.

References

Todorov T. K., Tang J., Bag S., Gunawan O., Gokmen T., Yu Zhu and Mitzi D. D. // Adv. Energy Mater. — 2013. — No. 3. — P. 34–38.

Jiang M., Li Y., Dhakal R., Thapalia P., Mastro M., Caldwell J. D., Kub F., Yan X. J. // J. Photonics Energy. — 2011. — Vol. 1. — P. 019501.

Wang W., Winkler M. T., Gunawan O., Gokmen T., Todorov T. K., Zhu Y., Mitzi D. B. // In: Advanced Energy Materials. — 2013. DOI: 10.1002/aenm. — P. 01465.

Opanasyuk A. S., Kurbatov D. I., Ivanchenko M. M., Protsenko I. Yu., Cheong H. // Photon Energy. — 2012. — Vol. 4, No. 1. — P. 01024 (3 pp).

Oleksyuk I. D., Dudchar I. V., Piskach L. V., Allys J. // Compounds. — 2004. — Vol. 368. — P. 135–143.

Юсупов А., Адамбаев К., Джумабаев Д. К., // Материалы Межд. конференции «Фундаментальные и прикладные вопросы физики». — Ташкент. — 2013. — С. 282–283.

Юсупов А., Адамбаев К., Тураев З. З. // Гелио техника. — 2015. — № 3. — C. 52–55.

Юсупов А., Адамбаев К., Тураев З. З., Кутлимратов А. ДАН РУз. — 2016. — № 1. — С. 34–37.

Миллнс А., Фойхт Д. — М.: «Мир», 1970. — 285 с.

Шарма Б. Л., Пурохит Р. К. — М.: «Сов. радио», 1979. — 224 с.

Мостовой А. И., Брусь В. В., Марьянчук П. Д. // ФТП. — 2014. — Т. 48, № 9. — С. 1205–1208.

Razykov T. M., Ferekideg C. S., Morel D., Stefanakos E., Ullal H. S., Upadhyaya H. M. // Solar Energy. — 2011. — Vol. 85. — 1580 p.
Published
2017-04-05
How to Cite
Юсупов, А., Адамбаев, К., Тураев, З. З., & Алиев, С. Р. (2017). Mechanism of current transport in heterojunctions p-Cu2ZnSnS4/n-Si. Journal of Surface Physics and Engineering, 1(3), 246-250. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8310