Modeling of thermal processes high-frequency silicon p-i-n-diode

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
  • А. А. Каримов Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
  • А. З. Рахматов Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
  • К. Т. Дадаматова Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
Keywords: temperature, heat resistance, pulse, the thermal model, circuitry

Abstract

Thermal processes are considered in the high speed diode, allowing to define the dynamics of temperature changes in each part of the diode as a function of acting pulse duration, as well as to pre dict the maximum operating temperature. The results are of interest to optimize the electrical cha rac te ris tics and the materials of construction of power diodes.

 

temperature; heat resistance; pulse; the thermal model; circuitry

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

А. В. Каримов, Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент

С.н.с.

А. А. Каримов, Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
С.н.с.
А. З. Рахматов, Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
С.н.с.
К. Т. Дадаматова, Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
С.н.с.

References

Беляев А. Е., Басанец В. В., Болтовец Н. С., Зоренко А. В., Капитанчук Л. М., Кладько В. П., Конакова Р. В., Колесник Н. В., Коростинская Т. В., Крицкая Т. В., Кудрик Я. Я., Кучук А. В., Миленин В. В., Атаубаева А. Б. Влияние перегрева p-n-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов // Физика и техника полупроводников. — Санкт-Петербург, — 2011. — Т. 45, Вып. 2. — С. 256—262.

Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Каримов А. А., Абдулхаев О. А., Асанова Г. О. Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой ppn-структуры // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — Одесса. — 2011. — № 6. — С. 43—45.

Rakhmatov A. Z., Abdulkhaev O. A., Karimov A. V. and Yodgorova D. M. Features of the Performance of a Transient Voltage Suppressor in the Pulsed Mode // Semiconductors. — 2013. — Vol. 47, No. 3. — Р. 387—391.

Abdulkhaev О. А., Yodgorova D. M., Karimov А. V., Karimov А. А., Asanova G. О. Investigation of the heat transfer processes under the action of pulse power // Journal of Engineering Physics and Thermophysics. — 2012. — Vol. 85, No. 4. — P. 851—855.

Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Т. VII. Теория упругости: Учеб. пособие. — 4-е изд., испр. и доп. — М.: Наука, 1987. — Гл. ред. физ.-мат. лит. — 248 с.

Магнус К. Колебания: Введение в исследование колебательных систем. — М.: Мир, 1982. — 304 с.

Гухман А. А. Введение в теорию подобия. 2-е изд. — М.: Высшая школа, 1973. — 296 с.

Карслоу Г. С., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. — М., 1964. — 488 с.

Лыков А. В., Михайлов Ю. А. Теория тепло-и массопереноса. — М.-Л.: Госэнергоиздат, 1963. — 536 с.
Published
2017-03-24
How to Cite
Каримов, А. В., Каримов, А. А., Рахматов, А. З., & Дадаматова, К. Т. (2017). Modeling of thermal processes high-frequency silicon p-i-n-diode. Journal of Surface Physics and Engineering, 12(1), 14-19. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8160