Physical phenomena the transistor structure tonkobazovyh
Keywords:
p np-structure, n pnn-structure, tunneling, avalanche breakdown, double-barrier structure, thin base
Abstract
It is experimentally shown that the germanium p+np- and silicon n++pnn+-structures in blocking mode of the junction with a lightly doped region operate as the bipolar transistor with a corresponding operating range and photosensitivity. In the blocking mode of the junction with a heavily doped region they acquires improved photodiode and transistor properties associated with the expansion dynamics of the space charge regions and development of the tunnel and avalanche breakdown mechanisms.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Громов В. Многофункциональный датчик для электронных систем сбора данных // Электроника. Наука, Технология. Бизнес. — 2006. — № 5. — С. 96–101.
Шинкаренко В. Г. Фототранзистор. Сигнальные и пороговые характеристики // Электромагнитные волны и электронные системы. — 2009. — Т. 14, № 7. — С. 40–64.
Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. —Москва: Энергия, 1977. — С. 142–143.
Патент РУз № IAP 03974. Инжекционно полевой фотодиод / Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Ашрапов Ф. М., Эргашев Ж. А., Якубов А. А. // Бюлл. — 2009. — № 7.
Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkhaev O. A., Nazarov J. T. The microduty bipolar phototransistor on the base of gallium arsenic n-p-m-structure // Physics Express. — 2011. — Vol. 1, No. 3. — P. 191–198.
Патент РУз № IAP 04244 «Многофункциональный полупроводниковый прибор» авторов Ёдгоровой Д. М., Каримова А. В., Саидовой Р. А., Гиясовой Ф. А., Бузрукова У. М., Якубова А. А. // Бюлл. — 2010. — № 8.
Karimov. A. V., Yodgorova D. M. and Abdulkhaev O. A. Physical principles of photocurrent generation in Multi-Barrier Punch-ThrounghStructures // Second chapter of book «Photodiodes — World Activities in 2011» edited by Jeong-Woo Park. — In Tech, 2011. — P. 23–36.
Вартанян С. П. Оптоэлектронные приборы и устройства в полиграфии http: // hi-edu. ru/e-books/xbook138/01/part-003.htm
Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А., Гиясова Ф. А. Многобарьерные фоточувствительные структуры. «Фундаментальные и прикладный вопросы физики». Республиканская конференция посвященная 100-летию академика С. А. Азимова // Сборник обзорных научных статей. — Ташкент, 2014. — С.144–157.
Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы вчера, сегодня и завтра // Компоненты и технологии. — 2010. — № 8. — С. 49–58.
Шинкаренко В. Г. Фототранзистор. Сигнальные и пороговые характеристики // Электромагнитные волны и электронные системы. — 2009. — Т. 14, № 7. — С. 40–64.
Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. —Москва: Энергия, 1977. — С. 142–143.
Патент РУз № IAP 03974. Инжекционно полевой фотодиод / Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Ашрапов Ф. М., Эргашев Ж. А., Якубов А. А. // Бюлл. — 2009. — № 7.
Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkhaev O. A., Nazarov J. T. The microduty bipolar phototransistor on the base of gallium arsenic n-p-m-structure // Physics Express. — 2011. — Vol. 1, No. 3. — P. 191–198.
Патент РУз № IAP 04244 «Многофункциональный полупроводниковый прибор» авторов Ёдгоровой Д. М., Каримова А. В., Саидовой Р. А., Гиясовой Ф. А., Бузрукова У. М., Якубова А. А. // Бюлл. — 2010. — № 8.
Karimov. A. V., Yodgorova D. M. and Abdulkhaev O. A. Physical principles of photocurrent generation in Multi-Barrier Punch-ThrounghStructures // Second chapter of book «Photodiodes — World Activities in 2011» edited by Jeong-Woo Park. — In Tech, 2011. — P. 23–36.
Вартанян С. П. Оптоэлектронные приборы и устройства в полиграфии http: // hi-edu. ru/e-books/xbook138/01/part-003.htm
Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А., Гиясова Ф. А. Многобарьерные фоточувствительные структуры. «Фундаментальные и прикладный вопросы физики». Республиканская конференция посвященная 100-летию академика С. А. Азимова // Сборник обзорных научных статей. — Ташкент, 2014. — С.144–157.
Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы вчера, сегодня и завтра // Компоненты и технологии. — 2010. — № 8. — С. 49–58.
Published
2017-02-24
How to Cite
Каримов, А. В., Ёдгорова, Д. М., & Абдулхаев, О. А. (2017). Physical phenomena the transistor structure tonkobazovyh. Journal of Surface Physics and Engineering, 13(3), 330 - 334. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8025
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
