Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS

  • И. Б. Сапаев Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение «Физика – Солнце»
  • Ш. А. Мирсагатов Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение «Физика – Солнце»
  • Б. Сапаев Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение «Физика – Солнце»
  • Р. Р. Кабулов Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение «Физика – Солнце»

Abstract

Создана структура n+CdS-nCdS-nSi, чувствительная к малым световым сигналам. Такая структура при освещении лазерным лучом с λ = 0,625 μm и мощностью P = 10 μW/cm2 при комнатной тем­пературе имеет спектральную чувствительность S ≈ 4700 A/W при напряжении смещения V = 40V в прямой ветви ВАХ. А при облучении белым светом мощностью P = 2,7·10–2 μW структура имеет интегральную чувствительность Sint ≈ 110 A/ lux (1,2·104 A/W) при том же напряжении смещения и температуре. Прямая ветвь ВАХ такой структуры описывается степенными зависимостями I ~ V2 и I ~ V3, которые реализуются в длинных диодах (d/L ≥ 10, где d — толщина базы, L — длина диффузии не основных носителей), и где протекающие токи определяются биполярным дрейфом носителей заряда. Показано, что усиление первичного фототока обусловлено модуляцией бипо­лярной дрейфовой подвижности при облучении «примесным» светом малой мощности.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

И. Б. Сапаев, Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение «Физика – Солнце»
Н.С.
Ш. А. Мирсагатов, Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение «Физика – Солнце»
Н.С.
Б. Сапаев, Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение «Физика – Солнце»
Н.С.
Р. Р. Кабулов, Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение «Физика – Солнце»
Н.С.

References

1. Анисимова И. Д., Викулин И. М., Заитов Ф. А., Курмашев Ш. Д. Полупроводниковые фотоприемники, под ред. В. И. Стафеева. — М.: Радио и связь, 1984, гл. 5. — 101 с.

2. Викулин И. М., Курмашев Ш. Д., Стафеев В. И. Инжекционные фотоприемники // ФТП. — 2008. — Т. 42. — № 1. — C. 113–127.

3. Стафеев В. И. ФГУП НПО «Орион». — Мос ква, 2008. — 103 с.

4. Колдаев И. М., Лосев В. В., Орлов Б. М. // ФТП. — 1984. — Т. 18. — 1316 с.

5. Мирсагатов Ш. А., Утениязов А. К. // Письма в ЖТФ. — 2012. — Т. 38, вып. 1. — С. 70–76.

6. Фриш Э. Оптические методы измерений. Часть I. Издательство Ленинградского Университета, 1976. — 126 с.

7. Лабораторные оптические приборы / Под ред. А. А. Новицкого. — М.: Машиностроение, 1979. — 132 с.

8. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник / Под ред. проф. В. С. Вавилова. — М.: Идательство «Мир», 1975. — 425 с.

9. Осипов В. В., Стафеев В. И. // К теории длин¬ных диодов с отрицательным сопротивлением. ФТП. — 1967. — Вып. 12. — 1795 с.

10. Бараненков А. И., Осипов В. В. Инжекционный пробой компенсированных полупроводников // ФТП. — 1971. — Т. 5. — 836 с.

11. Бараненков А. И., Осипов В. В. // Вольт-амперные характеристики длинных диодов из компенсированных полупроводников // ФТП. — 1969. — Т. 3, вып. 1. — 39 с.

12. Карагеоргий-Алкалаев П. М., Лейдерман А. Ю. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями. — Ташкент: Изд. «ФАН» Узбекская ССР, 1981. — 200 с.

13. Гарин Б. М., Стафеев В. И. // Сб. трудов МФТИ. Сер. Радиотехника и электроника. — М.: Изд-во МФТИ, 1972, вып. 2. — 88 с.

14. Kurmashev Sh., Stafeev V., Vikulin I.. Proc. SPIE, 3182. 59 (1979).
Published
2015-12-04
How to Cite
Сапаев, И. Б., Мирсагатов, Ш. А., Сапаев, Б., & Кабулов, Р. Р. (2015). Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS. Journal of Surface Physics and Engineering, 13(2), 129 -. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/4550