The microstructure of grain boundaries in polycrystalline silicon and its influence on the transfer of charge carriers
Keywords:
polycrystalline silicon; microstructure; grain; between grains boundaries; microvoids; oxygenated complexes; impurities; surface; metal or metal-oxide films; chemical element; segregation; resistivity
Abstract
Experimentally studied the microstructure and morphology of grain boundaries of polycrystalline silicon obtained by different methods. The surface of the grain size of 100 – 300 microns is replete with bumps and micro-sized voids ~10 microns. In between the grain boundaries are accumulations of impurities that determine the charge states with the temperature dependence of resistivity of polycrystalline silicon.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения/Пер. с англ. / Под. ред. Харбек Г. – М.: Мир, 1989. – 344 с. 2. Фаренбрух А., Бьюб Р., Солнечные элементы. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 176 с.
Абдурахманов Б.М., Ачилов Т.Х., Кадыров А.Л., и др. // Гелиотехника. – 1992. – № 4. – С. 8-14.
Саидов М.С., Билялов Р.Р., Мухамадиев Р.Э., Чирва В.П..//Гелиотехника. – 1987. – № 6. – С. 18-20.
Способ изготовления кремниевых пластин для солнечных элементов / Зайнабидинов С., Алиев Р., Мансуров Х. // Заявка на патент № 20030030 от 15.01.2003.
Олимов Л.О. // Узбекский физический журнал. – 2005. – № 3. – С. 231-233.
Олимов Л.О. // Узбекский физический журнал. – 2007. – № 5-6. – С. 361-365.
Венгин С.И., Чистяков А.С. Технический кремний. – Метоллургия, 1972. – 400 с.
Тонкие поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применения/Пер. с англ./
Под ред. Л. Казмерски. – М.: Мир, 1983. – 304 с.
Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. – М.: Наука, Физматлит, 1990. – 260 с.
Алиев Р., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю., Чирва В.П.//Доклады АН УзР. – 1986. – № 8.– С. 26-28.
Canham L., Devies G., Lightowlers E.C., Blackmore G.W. ///Physica. – 1983. – Vol. 117, 118 B. – P. 119-121.
Макара А., Васильев М.А., Мтебленко Л.П., Коплак О.В., Курилюк А.Н., Кобзарь Ю.Л., Науменко.С.Н. // ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 9. – С. 1061-1064.
Король В.М., Веденяпин С.А., Застовной А.В., Ovchinnikov V. // ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 9. – С. 1140-1144.
Абдурахманов Б.М., Ачилов Т.Х., Кадыров А.Л., и др. // Гелиотехника. – 1992. – № 4. – С. 8-14.
Саидов М.С., Билялов Р.Р., Мухамадиев Р.Э., Чирва В.П..//Гелиотехника. – 1987. – № 6. – С. 18-20.
Способ изготовления кремниевых пластин для солнечных элементов / Зайнабидинов С., Алиев Р., Мансуров Х. // Заявка на патент № 20030030 от 15.01.2003.
Олимов Л.О. // Узбекский физический журнал. – 2005. – № 3. – С. 231-233.
Олимов Л.О. // Узбекский физический журнал. – 2007. – № 5-6. – С. 361-365.
Венгин С.И., Чистяков А.С. Технический кремний. – Метоллургия, 1972. – 400 с.
Тонкие поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применения/Пер. с англ./
Под ред. Л. Казмерски. – М.: Мир, 1983. – 304 с.
Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. – М.: Наука, Физматлит, 1990. – 260 с.
Алиев Р., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю., Чирва В.П.//Доклады АН УзР. – 1986. – № 8.– С. 26-28.
Canham L., Devies G., Lightowlers E.C., Blackmore G.W. ///Physica. – 1983. – Vol. 117, 118 B. – P. 119-121.
Макара А., Васильев М.А., Мтебленко Л.П., Коплак О.В., Курилюк А.Н., Кобзарь Ю.Л., Науменко.С.Н. // ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 9. – С. 1061-1064.
Король В.М., Веденяпин С.А., Застовной А.В., Ovchinnikov V. // ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 9. – С. 1140-1144.
Published
2019-07-25
How to Cite
Абдурахманов, Б. М., Олимов, Л. О., & Абдуразаков, Ф. (2019). The microstructure of grain boundaries in polycrystalline silicon and its influence on the transfer of charge carriers. Journal of Surface Physics and Engineering, 8(1), 72-76. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13449
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
