The microstructure of grain boundaries in polycrystalline silicon and its influence on the transfer of charge carriers
Keywords:
polycrystalline silicon; microstructure; grain; between grains boundaries; microvoids; oxygenated complexes; impurities; surface; metal or metal-oxide films; chemical element; segregation; resistivity
Abstract
Experimentally studied the microstructure and morphology of grain boundaries of polycrystalline silicon obtained by different methods. The surface of the grain size of 100 – 300 microns is replete with bumps and micro-sized voids ~10 microns. In between the grain boundaries are accumulations of impurities that determine the charge states with the temperature dependence of resistivity of polycrystalline silicon.
Downloads
References
Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения/Пер. с англ. / Под. ред. Харбек Г. – М.: Мир, 1989. – 344 с. 2. Фаренбрух А., Бьюб Р., Солнечные элементы. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 176 с.
Абдурахманов Б.М., Ачилов Т.Х., Кадыров А.Л., и др. // Гелиотехника. – 1992. – № 4. – С. 8-14.
Саидов М.С., Билялов Р.Р., Мухамадиев Р.Э., Чирва В.П..//Гелиотехника. – 1987. – № 6. – С. 18-20.
Способ изготовления кремниевых пластин для солнечных элементов / Зайнабидинов С., Алиев Р., Мансуров Х. // Заявка на патент № 20030030 от 15.01.2003.
Олимов Л.О. // Узбекский физический журнал. – 2005. – № 3. – С. 231-233.
Олимов Л.О. // Узбекский физический журнал. – 2007. – № 5-6. – С. 361-365.
Венгин С.И., Чистяков А.С. Технический кремний. – Метоллургия, 1972. – 400 с.
Тонкие поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применения/Пер. с англ./
Под ред. Л. Казмерски. – М.: Мир, 1983. – 304 с.
Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. – М.: Наука, Физматлит, 1990. – 260 с.
Алиев Р., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю., Чирва В.П.//Доклады АН УзР. – 1986. – № 8.– С. 26-28.
Canham L., Devies G., Lightowlers E.C., Blackmore G.W. ///Physica. – 1983. – Vol. 117, 118 B. – P. 119-121.
Макара А., Васильев М.А., Мтебленко Л.П., Коплак О.В., Курилюк А.Н., Кобзарь Ю.Л., Науменко.С.Н. // ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 9. – С. 1061-1064.
Король В.М., Веденяпин С.А., Застовной А.В., Ovchinnikov V. // ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 9. – С. 1140-1144.
Абдурахманов Б.М., Ачилов Т.Х., Кадыров А.Л., и др. // Гелиотехника. – 1992. – № 4. – С. 8-14.
Саидов М.С., Билялов Р.Р., Мухамадиев Р.Э., Чирва В.П..//Гелиотехника. – 1987. – № 6. – С. 18-20.
Способ изготовления кремниевых пластин для солнечных элементов / Зайнабидинов С., Алиев Р., Мансуров Х. // Заявка на патент № 20030030 от 15.01.2003.
Олимов Л.О. // Узбекский физический журнал. – 2005. – № 3. – С. 231-233.
Олимов Л.О. // Узбекский физический журнал. – 2007. – № 5-6. – С. 361-365.
Венгин С.И., Чистяков А.С. Технический кремний. – Метоллургия, 1972. – 400 с.
Тонкие поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применения/Пер. с англ./
Под ред. Л. Казмерски. – М.: Мир, 1983. – 304 с.
Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. – М.: Наука, Физматлит, 1990. – 260 с.
Алиев Р., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю., Чирва В.П.//Доклады АН УзР. – 1986. – № 8.– С. 26-28.
Canham L., Devies G., Lightowlers E.C., Blackmore G.W. ///Physica. – 1983. – Vol. 117, 118 B. – P. 119-121.
Макара А., Васильев М.А., Мтебленко Л.П., Коплак О.В., Курилюк А.Н., Кобзарь Ю.Л., Науменко.С.Н. // ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 9. – С. 1061-1064.
Король В.М., Веденяпин С.А., Застовной А.В., Ovchinnikov V. // ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 9. – С. 1140-1144.
Published
2019-07-25
How to Cite
Абдурахманов, Б. М., Олимов, Л. О., & Абдуразаков, Ф. (2019). The microstructure of grain boundaries in polycrystalline silicon and its influence on the transfer of charge carriers. Journal of Surface Physics and Engineering, 8(1), 72-76. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13449
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
