Temporary development of Raman scattering of light with phase β → α transition of sulfur
Keywords:
sulfur, recrystallization, laser, Raman scattering
Abstract
The features of Raman-scattered light have been investigated at β → α-transition of sulfur for the optical circuit “on reflection”. The analysis of experimental results has allowed to establish a time interval of course of transformation and to estimate a value of recrystallization speed of sulfur.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. – СПб.: Изд. Лань, 2002. – 424 с.
Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники: Учебник. – СПб.: Изд. Лань, 2001. – 368 с.
Эддисон У. Аллотропия химических элементов. – М.: Мир, 1966. – 208 с.
Сморгонская Э.А., Кютт Р.Н., Шуман В.Б., Данишевский А.М., Гордеев С.К., Гречинская А.В. Малоугловое рентгеновское рассеяние в нанокомпозите углерод-сера, полученном на основе объемного нанопористого углерода//ФТТ. – 2002. – Т. 44, Вып. 10. – С. 1908-1914.
Горелик В.С., Точилин С.Д. Комбинационное рассеяние света в композите опал/сера//Неорганические материалы. – Т. 47, № 7. – С. 846-847.
Лебедев М.В., Shimomura M., Fukuda Y. Реконструкция поверхности InSb(111)A при адсорбции серы//Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т. 41, Вып. 5. – С. 539-543.
Горелик В.С., Умаров Б.С. Введение в спектроскопию комбинационного рассеяния света в кристаллах. – Душанбе: изд. Дониш, 1982. – 288 c.
Точилин С.Д., Горелик В.С. Особенности комбинационного рассеяния света при фазовом β → α-переходе серы//Краткие сообщения по физике ФИАН. – 1993. № 11-12. – С. 15-19.
Горелик B.C., Свербиль П.П., Фадюшин А.Б., Васильев В.В. Полупроводниковый лазер видимого диапазона как источник возбуждения комбинационного рассеяния света. Препринт/ ФИАН; 27. – М.: РИИС ФИАН, 2003. – 18 c.
Рекристаллизация металлических материалов/Ред. Ф. Хесснер. – М.: Металлургия, 1962. – 352 с. (Хесснер Ф., Хофман С. Миграция большеугловых границ зерен. – С. 71-103).
Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники: Учебник. – СПб.: Изд. Лань, 2001. – 368 с.
Эддисон У. Аллотропия химических элементов. – М.: Мир, 1966. – 208 с.
Сморгонская Э.А., Кютт Р.Н., Шуман В.Б., Данишевский А.М., Гордеев С.К., Гречинская А.В. Малоугловое рентгеновское рассеяние в нанокомпозите углерод-сера, полученном на основе объемного нанопористого углерода//ФТТ. – 2002. – Т. 44, Вып. 10. – С. 1908-1914.
Горелик В.С., Точилин С.Д. Комбинационное рассеяние света в композите опал/сера//Неорганические материалы. – Т. 47, № 7. – С. 846-847.
Лебедев М.В., Shimomura M., Fukuda Y. Реконструкция поверхности InSb(111)A при адсорбции серы//Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т. 41, Вып. 5. – С. 539-543.
Горелик В.С., Умаров Б.С. Введение в спектроскопию комбинационного рассеяния света в кристаллах. – Душанбе: изд. Дониш, 1982. – 288 c.
Точилин С.Д., Горелик В.С. Особенности комбинационного рассеяния света при фазовом β → α-переходе серы//Краткие сообщения по физике ФИАН. – 1993. № 11-12. – С. 15-19.
Горелик B.C., Свербиль П.П., Фадюшин А.Б., Васильев В.В. Полупроводниковый лазер видимого диапазона как источник возбуждения комбинационного рассеяния света. Препринт/ ФИАН; 27. – М.: РИИС ФИАН, 2003. – 18 c.
Рекристаллизация металлических материалов/Ред. Ф. Хесснер. – М.: Металлургия, 1962. – 352 с. (Хесснер Ф., Хофман С. Миграция большеугловых границ зерен. – С. 71-103).
Published
2012-09-20
How to Cite
Точилін, С. Д. (2012). Temporary development of Raman scattering of light with phase β → α transition of sulfur. Journal of Surface Physics and Engineering, 10(4), 430- 433. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10164
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.