Phase portraits of deformation effects in semiconductors in the pulsed mode
Keywords:
thin-film effect, the phase portrait, relaxation resistance tensosensitivity in pulsed mode
Abstract
Investigated currents in compensated p-Si <Ni> exposed rectangular pulse of hydrostatic pressure. The process of establishing and studied by the method of phase trajectories. It is shown that the phase trajectories can be considered as a thermodynamic cyclic process. These thermodynamic cycles of deformation effects in semiconductors is convenient to represent the phase portrait that education of the totality of izoprotsessov.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О., Абдураимов А. Динамические тензохарактеристики диодов с барьером Шоттки при импульсном гидростатическом давлении//ФТП. – 2000. – Т. 34, Вып. 1. – С. 67-70.
Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О. Влияние внешних воздействий на поведение примеси золота в кремнии//ФТП. – 2000. – Т. 34, Вып. 6. – С. 641-644.
Маматкаримов О.О., Хамидов Р.Х. Тензорезистивный эффект в кремнии//Письма в ЖТФ. – 2003. – Вып. 3. – С. 24-28.
Аhmetoglu М., Shamirzaev S.H., Gulyamov G., Dadamirzayev M., Gulyamov А.G. Change in the resistance of the semiconductor in the variable deformation field//Rom. Journ. Phys. – 2007. – Vol. 52, No. 3-4. – Р. 319-327.
Базаров И.П. Термодинамика. - М.: Высшая школа, 1991. – 378 с.
Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О. Влияние внешних воздействий на поведение примеси золота в кремнии//ФТП. – 2000. – Т. 34, Вып. 6. – С. 641-644.
Маматкаримов О.О., Хамидов Р.Х. Тензорезистивный эффект в кремнии//Письма в ЖТФ. – 2003. – Вып. 3. – С. 24-28.
Аhmetoglu М., Shamirzaev S.H., Gulyamov G., Dadamirzayev M., Gulyamov А.G. Change in the resistance of the semiconductor in the variable deformation field//Rom. Journ. Phys. – 2007. – Vol. 52, No. 3-4. – Р. 319-327.
Базаров И.П. Термодинамика. - М.: Высшая школа, 1991. – 378 с.
Published
2012-10-03
How to Cite
Дадамирзаев, М. Г., & Гулямов, А. Г. (2012). Phase portraits of deformation effects in semiconductors in the pulsed mode. Journal of Surface Physics and Engineering, 10(4), 371 - 374. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10140
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.