Тензорезистивний ефект у системі потенційних бар’єрів у напівпровідникових плівках

Автор(и)

  • Г. Гулямов Наманганский инженерно-педагогический институт
  • A. Г. Гулямов Наманганский инженерно-педагогический институт
  • Г. Н. Мажидова Наманганский инженерно-педагогический институт

Ключові слова:

тензочувствительность, прозорість потенційного бар’єра, напівпровідникові тензочувствительные плівки

Анотація

У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки ширина потенційного бар’єру може пояснити аномально більші значення коефіцієнта тензочутливості  тонких плівок Bі2Te3 і Sb2Te3, отриманих вакуумним напилюванням.

 

 

Біографії авторів

  • автор Г. Гулямов, афіліація Наманганский инженерно-педагогический институт
    с.н.с.
  • автор A. Г. Гулямов, афіліація Наманганский инженерно-педагогический институт
    с.н.с.
  • автор Г. Н. Мажидова, афіліація Наманганский инженерно-педагогический институт
    с.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2017-07-28

Номер

Том 11 № 2 (2013): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Тензорезистивний ефект у системі потенційних бар’єрів у напівпровідникових плівках. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(2), 243-245. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8780

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають