Influence effective mass density of states at temperature dependence of band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey

Authors

  • Г. Гулямов Наманганский инженерно-педагогический институт
  • Н. Ю. Шарибаев Наманганский инженерно-педагогический институт
  • У. И. Эркабоев Наманганский инженерно-педагогический институт

Keywords:

band gap, effective mass density of state, power a spectrum, numerical experiment and modelling

Abstract

It is investigated influences of change of effective mass of carriers of charges on temperature dependence of width of the band gaps in semiconductors. By means of numerical experiments, with use of experimental results of a temperature drawing of temperature dependence of width of the band gaps.

 

 

Author Biographies

  • Г. Гулямов, Наманганский инженерно-педагогический институт
    с.н.с.
  • Н. Ю. Шарибаев, Наманганский инженерно-педагогический институт
    с.н.с.
  • У. И. Эркабоев, Наманганский инженерно-педагогический институт
    с.н.с.

Downloads

Published

2017-07-28

Issue

Vol. 11 No. 2 (2013): Фізична інженерія поверхні

Section

Статті

License

У відповідності з типовим шаблоном.

How to Cite

Influence effective mass density of states at temperature dependence of band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey. (2017). Journal of Surface Physics and Engineering, 11(2), 195-198. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8771

Most read articles by the same author(s)