Про температурну залежність ширини забороненої зони Si
Ключові слова:
ширина забороненої зони, ефективна маса густини станів, енергетичний спектр, чисельний експеримент і моделювання
Анотація
За допомогою математичного моделювання процесу термічного розширення енергетичних рівнів досліджена температурна залежність ширини забороненої зони напівпровідників. З урахуванням температурної залежності ефективної маси густини станів отримані графіки температурної залежності ширини забороненої зони. Досліджено вплив змінювання ефективної маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини забороненої зони в напівпровідниках. Теоретичні результати математичного моделювання порівнюються з експериментальними даними для Si. Результати теорії задовільно пояснюють експериментальні результати для Si.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Gulyamov G., Sharibaev N.Yu.//FATA.− 2011. − Vol. 45, No. 2. − P. 178-182.
Gulyamov G., Sharibaev N.Yu.//Surface. − 2012, − № 9. − P. 13-17.
Gulyamov G., Sharibaev N.Yu., Erkaboev U.I.// PSE. − 2012. − Vol. 10, № 4. − P. 308-312.
Gulyamov G., Sharibaev N.Yu.//PSE. − 2012. − Vol. 10, № 2. − P. 221-225.
Gulyamov G., Karimov I.N., Sharibaev N.Yu., Erkaboev U.I.//Uzbek Journal of Physics. − 2010. − Vol. 12, № 3. − P. 143-146.
Caiafa X., Wang, Hudgins J.L., Santi E., and Palmer P.R. Cryogenic study and modeling of IGBTS IEEE. − 2003. − P. 1897-1903.
Bonch-Bruyevich V.B., and et.al. Electronic theory of non-crystalline semiconductors. − M.: Nauka, 1981. − 384 p.
Mott N., Devis E. Electronic Processes in NonCrystalline Materials. Vol. 1. − New York: Wiley, 1982. − 664 s.
Shalimova K.V. Physics of semiconductors. − M.: Energoatomizdat, 1985. − 392 s.
Gulyamov G., Sharibaev N.Yu.//Surface. − 2012, − № 9. − P. 13-17.
Gulyamov G., Sharibaev N.Yu., Erkaboev U.I.// PSE. − 2012. − Vol. 10, № 4. − P. 308-312.
Gulyamov G., Sharibaev N.Yu.//PSE. − 2012. − Vol. 10, № 2. − P. 221-225.
Gulyamov G., Karimov I.N., Sharibaev N.Yu., Erkaboev U.I.//Uzbek Journal of Physics. − 2010. − Vol. 12, № 3. − P. 143-146.
Caiafa X., Wang, Hudgins J.L., Santi E., and Palmer P.R. Cryogenic study and modeling of IGBTS IEEE. − 2003. − P. 1897-1903.
Bonch-Bruyevich V.B., and et.al. Electronic theory of non-crystalline semiconductors. − M.: Nauka, 1981. − 384 p.
Mott N., Devis E. Electronic Processes in NonCrystalline Materials. Vol. 1. − New York: Wiley, 1982. − 664 s.
Shalimova K.V. Physics of semiconductors. − M.: Energoatomizdat, 1985. − 392 s.
Опубліковано
2017-07-21
Як цитувати
Guliamov, G., Erkaboev, U. I., & Sharibaev, N. Y. (2017). Про температурну залежність ширини забороненої зони Si. Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(3), 289 - 292. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8762
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.