Про температурну залежність ширини забороненої зони Si

  • G. Guliamov Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan
  • U. I. Erkaboev Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan
  • N. Y. Sharibaev Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan Namangan Engineering Institute of Technology Uzbekistan
Ключові слова: ширина забороненої зони, ефективна маса густини станів, енергетичний спектр, чисельний експеримент і моделювання

Анотація

За допомогою математичного моделювання процесу термічного розширення енергетичних рівнів досліджена температурна залежність ширини забороненої зони напівпровідників. З урахуванням температурної залежності ефективної маси густини станів отримані графіки температурної залежності ширини забороненої зони. Досліджено вплив змінювання ефективної маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини забороненої зони в напівпровідниках. Теоретичні результати математичного моделювання порівнюються з експериментальними даними для Si. Результати теорії задовільно пояснюють експериментальні результати для Si.

 

 

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

G. Guliamov, Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan
с.н.с.
U. I. Erkaboev, Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan
с.н.с.
N. Y. Sharibaev, Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan Namangan Engineering Institute of Technology Uzbekistan
с.н.с.

Посилання

Gulyamov G., Sharibaev N.Yu.//FATA.− 2011. − Vol. 45, No. 2. − P. 178-182.

Gulyamov G., Sharibaev N.Yu.//Surface. − 2012, − № 9. − P. 13-17.

Gulyamov G., Sharibaev N.Yu., Erkaboev U.I.// PSE. − 2012. − Vol. 10, № 4. − P. 308-312.

Gulyamov G., Sharibaev N.Yu.//PSE. − 2012. − Vol. 10, № 2. − P. 221-225.

Gulyamov G., Karimov I.N., Sharibaev N.Yu., Erkaboev U.I.//Uzbek Journal of Physics. − 2010. − Vol. 12, № 3. − P. 143-146.

Caiafa X., Wang, Hudgins J.L., Santi E., and Palmer P.R. Cryogenic study and modeling of IGBTS IEEE. − 2003. − P. 1897-1903.
Bonch-Bruyevich V.B., and et.al. Electronic theory of non-crystalline semiconductors. − M.: Nauka, 1981. − 384 p.

Mott N., Devis E. Electronic Processes in NonCrystalline Materials. Vol. 1. − New York: Wiley, 1982. − 664 s.

Shalimova K.V. Physics of semiconductors. − M.: Energoatomizdat, 1985. − 392 s.
Опубліковано
2017-07-21
Як цитувати
Guliamov, G., Erkaboev, U. I., & Sharibaev, N. Y. (2017). Про температурну залежність ширини забороненої зони Si. Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(3), 289 - 292. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8762