Сублінійні зворотні ВАХ товстих плівкових структур на основі CdTe
Анотація
Створена плівкова структура з базою p-CdTe (w = 120 μm), що має з двох сторін МОП-елементи: фронтальний Al-n-Al2O3-p-CdTe і тиловий Mo-n-MoO3-p-CdTe. При включенні такої структури в зворотному напрямку струму з’являється протяжна сублінейна ділянка (СУ) на вольтамперної характеристиці (ВАХ). Механізм виникнення СУ пов’язаний з інжекцією електронів з тилової області структури і виникненням в базі (p-CdTe) зустрічних дифузійних і дрейфових струмів, компенсують один одного. Ці фізичні процеси призводять до зростання опо ру бази в широкому діапазоні напруги зсуву Vb ~ 0,3—70 V, де струм I залишається майже по стійним (~6,7·10–7 A/cm2 на початку і ~6,9 10–7 A/cm2 в кінці діапазону). Встановлено, що напочатку СУ (Vb ~ 0,3 V) релаксаційні процеси перенесення обумовлюються рекомбинацией нерівноважних носіїв, інжектованих в базу, а наприкінці СУ (Vb ~ 70 V) такі процеси цілком визначаються часом прольоту нерівноважних носіїв через базу.
Завантаження
Посилання
Усмонов Ш. Н., Мирсагатов Ш. А., Лейдерман А. Ю. Исследование вольт-амперной характеристики гетероструктуры n-CdS/pCdTe в зависимости от температуры // ФТП. — 2010. — Т. 44, вып. 3. — С. 330—334.
Davies L. W. Proc., IEEE, 51, 1637 (1963).
Мирсагатов Ш. А., Музафарова С. А., Ачилов А. С., Мовлонов А. А. Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо // ФИП — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 78—84.
Физико-химические свойства окислов. Справочник / Под. Ред. Самсонова Г. В. — М.: Металлургия, 1978. — С. 52
Миркин Л. И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. — М.: Физматлит, 1961. — 863 с.
Кишенов В. Г., Вольт-фарадные измерения параметров, «ШТИИНЦА», 1987. — 65 с.
Адирович Э. И., Карагеоргий-Алкалаев П. М., Лейдерман А. Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. — М.: Сов. ра дио, 1978. — 320 с.
Лейдерман А. Ю., Карагеоргий-Алкалаев П. М. «Фоточувствительность по лу провод ни ковых структур с глубокими примесями». Ташкент: Издательство «ФАН» Уз. ССР, 1981. — 199 с.
Зи. С. Физика полупроводниковых приборов. — М.: «Мир». — 1984. — Т. 1. — 455с.
Стафеев В. И., Адирович Э. И., Карагеоргий-Алкалаев П. М., Лейдерман А. Ю. // ФТТ. — 1961. — Т. 3. — С. 2513—2518.
Орешкин П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков. — М.: «ВЫСШАЯ ШКОЛА», 1977. — 418 с. 13. Викулин И. М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Сов. радио, 1980. — 296 с.
