Сублінійні зворотні ВАХ товстих плівкових структур на основі CdTe
Ключові слова:
напівпровідник, плівка, МОП-елемент, бар’єр ШотткіАнотація
Створена плівкова структура з базою p-CdTe (w = 120 μm), що має з двох сторін МОП-елементи: фронтальний Al-n-Al2O3-p-CdTe і тиловий Mo-n-MoO3-p-CdTe. При включенні такої структури в зворотному напрямку струму з’являється протяжна сублінейна ділянка (СУ) на вольтамперної характеристиці (ВАХ). Механізм виникнення СУ пов’язаний з інжекцією електронів з тилової області структури і виникненням в базі (p-CdTe) зустрічних дифузійних і дрейфових струмів, компенсують один одного. Ці фізичні процеси призводять до зростання опо ру бази в широкому діапазоні напруги зсуву Vb ~ 0,3—70 V, де струм I залишається майже по стійним (~6,7·10–7 A/cm2 на початку і ~6,9 10–7 A/cm2 в кінці діапазону). Встановлено, що напочатку СУ (Vb ~ 0,3 V) релаксаційні процеси перенесення обумовлюються рекомбинацией нерівноважних носіїв, інжектованих в базу, а наприкінці СУ (Vb ~ 70 V) такі процеси цілком визначаються часом прольоту нерівноважних носіїв через базу.
