Вплив ультразвукового опромінення на властивості інжекційного фотоприймача на основі pSi-nCdS-n +CdS — структури і на густини поверхневих станів pSi-nCdS — гетероперехода
Ключові слова:
ультразвук, фотодіод, гетероперехід
Анотація
Визначено розподіл щільності поверхневих станів в залежності від величини поверхневого потенціалу на гетерограниці nCdS/Si (p). Встановлено, що ультразвукове опромінення зменшує щільності поверхневих станів і це призводить до підвищення спектральної і інтегральної чутливості фотодіода.
ультразвук; фотодіод; гетероперехід
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Беляев А. П., Рубец В. П. Эффект переключения в гетеропереходах SiCdS, синтезированных в резко неравновесных условиях // ФТП. — 2002. — Т. 36, вып. 7. — С. 843—846.
Трегулов В. В. Исследование фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p) // Вестник ТГТУ. — 2010. — Т. 16, вып. 4. — Transactions TSTU. — С. 892—896.
Саидов А. С., Лейдерман А. Ю., Усмонов Ш. Н., Холиков К. Т. Вольтамперная характеристика pn структур на основе непрерывного твердого раствора (Si2)1– x(CdS)x// ФТП. — 2009. — Т. 43, вып. 4. — С. 436—438.
Сапаев И. Б. Особенности электрических и фотоэлектрических свойств AupSinCdSn+CdS гетероструктур // ДАН. — Узбекистан. — 2013, вып. 2. — С. 27—29.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов., том 1 под редакцией д. ф. — м. н. Р. А. Суриса. —М.: «Мир», 1984.
Мирсагатов Ш. А., Утениязов А. К. Инжекционный фотодиод на основе pCdTe // Письма в ЖТФ. — 2012. — Т. 38, вып. 1. — С. 70—76.
Трегулов В. В. Способ определения плотности поверхностных состояний CdS/Si(p) на основе анализа вольтфарадных характеристик // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. — 2012. — № 3 (23). — С. 124—132.
Милнс А., Фойхт Д. // Гетеропереходы и переходы металлполупроводник. Под ред. проф. В. С. Вавилова. — М.: «Мир», 1975.
Островский И. В., Стобленко Л. П., Надточий А. Б. Образование поверхностного упрочненного слоя в бездислокационном кремнии при ультразвуковой обработки // ФТП. — 2000. — Т. 34, вып. 3. — С. 257— 260.
Трегулов В. В. Исследование фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p) // Вестник ТГТУ. — 2010. — Т. 16, вып. 4. — Transactions TSTU. — С. 892—896.
Саидов А. С., Лейдерман А. Ю., Усмонов Ш. Н., Холиков К. Т. Вольтамперная характеристика pn структур на основе непрерывного твердого раствора (Si2)1– x(CdS)x// ФТП. — 2009. — Т. 43, вып. 4. — С. 436—438.
Сапаев И. Б. Особенности электрических и фотоэлектрических свойств AupSinCdSn+CdS гетероструктур // ДАН. — Узбекистан. — 2013, вып. 2. — С. 27—29.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов., том 1 под редакцией д. ф. — м. н. Р. А. Суриса. —М.: «Мир», 1984.
Мирсагатов Ш. А., Утениязов А. К. Инжекционный фотодиод на основе pCdTe // Письма в ЖТФ. — 2012. — Т. 38, вып. 1. — С. 70—76.
Трегулов В. В. Способ определения плотности поверхностных состояний CdS/Si(p) на основе анализа вольтфарадных характеристик // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. — 2012. — № 3 (23). — С. 124—132.
Милнс А., Фойхт Д. // Гетеропереходы и переходы металлполупроводник. Под ред. проф. В. С. Вавилова. — М.: «Мир», 1975.
Островский И. В., Стобленко Л. П., Надточий А. Б. Образование поверхностного упрочненного слоя в бездислокационном кремнии при ультразвуковой обработки // ФТП. — 2000. — Т. 34, вып. 3. — С. 257— 260.
Опубліковано
2017-07-05
Як цитувати
Сапаев, И. Б., & Мирсагатов, Ш. А. (2017). Вплив ультразвукового опромінення на властивості інжекційного фотоприймача на основі pSi-nCdS-n +CdS — структури і на густини поверхневих станів pSi-nCdS — гетероперехода. Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(2), 197-201. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8588
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
