Створення гетероструктури n-InSe-графіт

  • З. Д. Ковалюк Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення
  • І. Г. Ткачук Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення
  • Р. Л. Поцілуйко Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення
  • В. М. Катеринчук Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення
  • В. В. Нетяга Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення
  • В. М. Камінський Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення
Ключові слова: InSe, графіт, шаруватий кристалл, гетероструктура

Анотація

В даній роботі представлено створення гетероструктури n-InSe-графіт на основі шаруватого кристала InSe за допомогою олівця марки 4 в. Було виміряно вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики даної структури, досліджено спектр фоточутливості, та встановлено основні механізми струмопереносу. 

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

З. Д. Ковалюк, Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.
І. Г. Ткачук, Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.
Р. Л. Поцілуйко, Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.
В. М. Катеринчук, Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.
В. В. Нетяга, Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.
В. М. Камінський, Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.

Посилання

Pierson H.O. Handbook of carbon, graphit, diamond and fullerenes. — New Jersey: Noyes Publications, 1993.

Kurra N., Kularni G. U. Pencil-on-paper: electronic devices // Lab on a Chip. — 2013. — Vol. 13. — P. 2866–2873.

Wang Y., Zhou H. To draw an air electrode of a Li-air battery by pencil // Energy Environ. Sci. — 2011. — Vol. 4. — P. 1704–1707.

Zheng G., Hu L., Wu H., Xie X., Cui Y. Paper supercapacitors by a solvent-free drawing methods // Energy Environ. Sci. — 2011. — Vol. 4. — P. 3368–3373.

Hasan K., Nur O., Willander M. Screen printed ZnO ultraviolet photoconductive sensor on pensil drown circuitry over paper // Appl. Phys. Lett. — 2012. — Vol. 100. — P. 211104.

Kurra N., Dutta D., Kularni G. U. Field effect transistors and RC filters from pencil-trace on paper // Phys. Chem. Chem. Phys. — 2013. — Vol. 15. — P. 8367–8372.

Kang T. -K., Tunable piezoresistive sensor based on pencil-on-paper // Appl. Phys. Lett. — 2014. — Vol. 104. — P. 073117.

Lin Ch. -W., Zhao Z., Kim J., Huang J. Pencil drawn strain gauges and chemiresistors on paper // Scientific Reports. — 2014. — Vol. 4. — P. 3812–3818.

Geim A. U., Grigorieva I. V. Van der Waals heterostructures // Nature. — 2013. — Vol. 499. — 419 p.

Ковалюк З. Д. Слоистые полупроводники. / В кн.: Физические основы полупроводникового материаловедения. — Киев.: «Наукова думка», 1982. — C. 14–18.
Опубліковано
2017-04-05
Як цитувати
Ковалюк, З. Д., Ткачук, І. Г., Поцілуйко, Р. Л., Катеринчук, В. М., Нетяга, В. В., & Камінський, В. М. (2017). Створення гетероструктури n-InSe-графіт. Журнал фізики та інженерії поверхні, 1(3), 251-254. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8311