Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In4Se3
Ключові слова:
селенід індію, шаруваті кристали, гетеропереходи, атомно-силова мікроскопія, спектральні характеристики, вольт-амперні характеристики
Анотація
Методом прямого оптичного контакту створені гетеропереходи n-InSe–p-In4Se3 та p-InSe–nIn4Se3. За допомогою АСМ-зображень досліджено топологію ван-дер-ваальсової поверхні вихідних кристалів InSe та In4Se3. Побудована зонна діаграма гетеропереходу n-InSe–p-In4Se3. Виявлено, що для ГП n-InSe–p-In4Se3 коефіцієнт ідеальності ВАХ рівний 1,1. Встановлена область спектральної чутливості гетероструктур n-InSe–p-In4Se3 та p-InSe–n-In4Se3.Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Geim A. U., Grigorieva I. V. Van der Waals heterostructures // Nature. — 2013. — Vol. 499. — 419 p.
Ковалюк З. Д. Слоистые полупроводники. / В кн.: Физические основы полупроводникового материаловедения. — К.: «Наукова думка», 1982. — C. 14–18.
Bercha D. M., Borets A. M., Stakhyra I. M., Tovstyuk K. D. The band edge and the energy spectrum of In2Se // Phys. st. sol. — 1967. — Vol. 21, No. 2. — P. 769–774.
Савчин В. П. Особенности кинетических свойств слоистого кристала In4Se3 // ФТП. — 1981. — Т. 15, № 7. — С. 1430–1432.
Катеринчук В. Н., Ковалюк З. Д., Нетяга В. В., Беца Т. В. Гетеропереходы n-SnSSe– p-InSe // Письма в ЖТФ. — 2000. — Т. 26, № 17. — С. 6–10.
Balakrishnan N., Kydrynskyi Z., Fay M., Mudd G., Svatek S., Makarovsky O., Kovalyuk Z., Eaves L., Beton P., Potane A. Room Temperature Electroluminescence from Mechanically Formed van der Waals III–VI Homojunctions and heterojunctions // Advanced Optical Materials. — 2014. — Vol. 2, No. 11. — P. 1064–1069.
Манассон В. А., Малик А. Н., Баранюк В. Б. Эффективный солнечный элемент для работы при низких уровнях освещенности // Письма в ЖТФ. — 1981. — Т. 7, № 9. — С. 549–552.
Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Под. ред. Р. Дж. Киеса. — М.: «Радио и связь», 1985. — 328 c.
Ковалюк З. Д. Слоистые полупроводники. / В кн.: Физические основы полупроводникового материаловедения. — К.: «Наукова думка», 1982. — C. 14–18.
Bercha D. M., Borets A. M., Stakhyra I. M., Tovstyuk K. D. The band edge and the energy spectrum of In2Se // Phys. st. sol. — 1967. — Vol. 21, No. 2. — P. 769–774.
Савчин В. П. Особенности кинетических свойств слоистого кристала In4Se3 // ФТП. — 1981. — Т. 15, № 7. — С. 1430–1432.
Катеринчук В. Н., Ковалюк З. Д., Нетяга В. В., Беца Т. В. Гетеропереходы n-SnSSe– p-InSe // Письма в ЖТФ. — 2000. — Т. 26, № 17. — С. 6–10.
Balakrishnan N., Kydrynskyi Z., Fay M., Mudd G., Svatek S., Makarovsky O., Kovalyuk Z., Eaves L., Beton P., Potane A. Room Temperature Electroluminescence from Mechanically Formed van der Waals III–VI Homojunctions and heterojunctions // Advanced Optical Materials. — 2014. — Vol. 2, No. 11. — P. 1064–1069.
Манассон В. А., Малик А. Н., Баранюк В. Б. Эффективный солнечный элемент для работы при низких уровнях освещенности // Письма в ЖТФ. — 1981. — Т. 7, № 9. — С. 549–552.
Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Под. ред. Р. Дж. Киеса. — М.: «Радио и связь», 1985. — 328 c.
Опубліковано
2017-04-05
Як цитувати
Ковалюк, З. Д., Катеринчук, В. М., Кушнір, Б. В., & Товарницький, М. В. (2017). Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In4Se3. Журнал фізики та інженерії поверхні, 1(3), 242-245. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8309
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
