Фізичні явища в тонкобазових транзисторних структурах
Ключові слова:
p np-структура, n pnn -структура, тунельний, лавинний пробій, двобар’єрна структура, тонкобазова структура
Анотація
Експериментально доведено, що германієві p+np- і кремнієві n++pnn+-структури в режимі замикання переходу зі слаболегованою ділянкою виконують функцію біполярного транзистора з відповідним робочим діапазоном і фоточутливістю. У режимі замикання переходу із сильнолегованою ділянкою набувають поліпшені фотодіодні і транзисторні властивості, пов’язані з динамікою розширення областей об’ємного заряду і реалізацією тунельного та лавинного механізмів пробою.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Громов В. Многофункциональный датчик для электронных систем сбора данных // Электроника. Наука, Технология. Бизнес. — 2006. — № 5. — С. 96–101.
Шинкаренко В. Г. Фототранзистор. Сигнальные и пороговые характеристики // Электромагнитные волны и электронные системы. — 2009. — Т. 14, № 7. — С. 40–64.
Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. —Москва: Энергия, 1977. — С. 142–143.
Патент РУз № IAP 03974. Инжекционно полевой фотодиод / Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Ашрапов Ф. М., Эргашев Ж. А., Якубов А. А. // Бюлл. — 2009. — № 7.
Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkhaev O. A., Nazarov J. T. The microduty bipolar phototransistor on the base of gallium arsenic n-p-m-structure // Physics Express. — 2011. — Vol. 1, No. 3. — P. 191–198.
Патент РУз № IAP 04244 «Многофункциональный полупроводниковый прибор» авторов Ёдгоровой Д. М., Каримова А. В., Саидовой Р. А., Гиясовой Ф. А., Бузрукова У. М., Якубова А. А. // Бюлл. — 2010. — № 8.
Karimov. A. V., Yodgorova D. M. and Abdulkhaev O. A. Physical principles of photocurrent generation in Multi-Barrier Punch-ThrounghStructures // Second chapter of book «Photodiodes — World Activities in 2011» edited by Jeong-Woo Park. — In Tech, 2011. — P. 23–36.
Вартанян С. П. Оптоэлектронные приборы и устройства в полиграфии http: // hi-edu. ru/e-books/xbook138/01/part-003.htm
Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А., Гиясова Ф. А. Многобарьерные фоточувствительные структуры. «Фундаментальные и прикладный вопросы физики». Республиканская конференция посвященная 100-летию академика С. А. Азимова // Сборник обзорных научных статей. — Ташкент, 2014. — С.144–157.
Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы вчера, сегодня и завтра // Компоненты и технологии. — 2010. — № 8. — С. 49–58.
Шинкаренко В. Г. Фототранзистор. Сигнальные и пороговые характеристики // Электромагнитные волны и электронные системы. — 2009. — Т. 14, № 7. — С. 40–64.
Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. —Москва: Энергия, 1977. — С. 142–143.
Патент РУз № IAP 03974. Инжекционно полевой фотодиод / Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Ашрапов Ф. М., Эргашев Ж. А., Якубов А. А. // Бюлл. — 2009. — № 7.
Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkhaev O. A., Nazarov J. T. The microduty bipolar phototransistor on the base of gallium arsenic n-p-m-structure // Physics Express. — 2011. — Vol. 1, No. 3. — P. 191–198.
Патент РУз № IAP 04244 «Многофункциональный полупроводниковый прибор» авторов Ёдгоровой Д. М., Каримова А. В., Саидовой Р. А., Гиясовой Ф. А., Бузрукова У. М., Якубова А. А. // Бюлл. — 2010. — № 8.
Karimov. A. V., Yodgorova D. M. and Abdulkhaev O. A. Physical principles of photocurrent generation in Multi-Barrier Punch-ThrounghStructures // Second chapter of book «Photodiodes — World Activities in 2011» edited by Jeong-Woo Park. — In Tech, 2011. — P. 23–36.
Вартанян С. П. Оптоэлектронные приборы и устройства в полиграфии http: // hi-edu. ru/e-books/xbook138/01/part-003.htm
Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А., Гиясова Ф. А. Многобарьерные фоточувствительные структуры. «Фундаментальные и прикладный вопросы физики». Республиканская конференция посвященная 100-летию академика С. А. Азимова // Сборник обзорных научных статей. — Ташкент, 2014. — С.144–157.
Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы вчера, сегодня и завтра // Компоненты и технологии. — 2010. — № 8. — С. 49–58.
Опубліковано
2017-02-24
Як цитувати
Каримов, А. В., Ёдгорова, Д. М., & Абдулхаев, О. А. (2017). Фізичні явища в тонкобазових транзисторних структурах. Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(3), 330 - 334. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8025
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
