Вплив НВЧ-опромінення на спектри фотолюмінесценції монокристалів CdTe:Cl при Т = 2 K

С. И. Будзуляк Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
Н. Д. Вахняк Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
Л. А. Демчина Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
Д. В. Корбутяк Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
Р. В. Конакова Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
А. П. Лоцько Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
О. Б. Охрименко Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
Р. А. Редько Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
Н. И. Березовская Физический факультет Киевского национального университета им. Тараса Шевченко
Ю. В. Быков Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
С. В. Егоров Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
А. Г. Еремеев Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород

Ключові слова: фотолюмінесценція, НВЧ-опромінення, телурид, кадмію

Анотація

Проведені дослідження спектрів низькотемпературної (Т = 2 K) фотолюмінесценції (ФЛ) монокристалів CdTe:Cl в залежності від дози НВЧ-опромінення (частота 24 ГГц) показали, що при тривалості опромінення до t = 10 c спостерігається ефект малих доз з відповідним ростом інтенсивності ФЛ усіх смуг. Опромінювання зразків в інтервалі від 10 с до 60 c призводить до складних змін в спектрах ФЛ, викликаних генерацією як випромінювальних, так і безвипромінювальних центрів. Внаслідок НВЧ-опромінення тривалістю 120 с в монокристалах CdTe:Cl формуються безвипромінювальні центри дефектного походження, що відображається в суттєвому зменшенні інтенсивності ФЛ.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

С. И. Будзуляк, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины

С. н. с.

Н. Д. Вахняк, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины

С. н. с.

Л. А. Демчина, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины

С. н. с.

Д. В. Корбутяк, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины

С. н. с.

Р. В. Конакова, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины

С. н. с.

А. П. Лоцько, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины

С. н. с.

О. Б. Охрименко, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины

С. н. с.

Р. А. Редько, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины

С. н. с.

Н. И. Березовская, Физический факультет Киевского национального университета им. Тараса Шевченко

Доцент

Ю. В. Быков, Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород

С. н. с.

С. В. Егоров, Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород

С. н. с.

А. Г. Еремеев, Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород

С. н. с.

Посилання

Корбутяк Д. В., Мельничук С. В., Кор¬бут Е. В., Борисюк М. М. Теллурид кадмия: примесно-дефектные состояния и детек¬торные свойства. - К.: «Иван Федоров», 2000. - 198 с.

Takanashi T., Watanabe S. Recent Progress in CdTe and CdZnTe detectors // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 2001. - Vol. 48, No. 4. - Р. 950-959.

Del Sordo S., Abbene L., Caroli E., Mancini A. M., Zappettini A., Ubertini P. Progress in the Development of CdTe and CdZnTe Semiconductor Radiation Detectors for Astrophysical and Medical Applications // Sensors. - 2009. - Vol. 9, No. 5. - P. 3491-3526.

Takahashi T., Watanabe S., Ishikawa S. High- Resolution CdTe Detectors and Application to Gamma-Ray Imaging // Chaptrer 8, Semiconductor Radiation Detection Systems, edited by Krzysztof Iniewski. CRC Press. Boca Raton-London-New York, 2010. - P. 171-192.

Alford T. L., Thompson D. C., Mayer J. W., Theo dore N. D. Dopant activation in ion implanted silicon by microwave annealing // J. Appl. Phys. - 2009. - Vol. 106, No. 11. - 114902 р.

Lee Y. -J., Cho Ta. -C., Chuang S. -S., Hsueh Fu-K., Lu Yu. -L., Sung Po-J., Chen H. -C., Current M. I., Tseng T. -Y., Chao T. -S., Hu C., Yang Fu-L. Low-temperature microwave annealing processes for future IC fabrication - a review // IEEE Transactions on Electron Devices. - 2014. - Vol. 61, No. 3. - P. 651- 665.

Hsueh Fu-K., Lee Y. -J., Wu C. -Yi. Microwave activation annealing process // United States Pat. Appl. Publ. US2010/0120263 A1, 2010.

Yoshino K., Miyano K., Aoyama T. Method of fabricating semiconductor device // US Patent US8426285 B2, 2013.

Aoyama T., Miyano K. Manufacturing me thod of semiconductor device // US Patent US8552411
B2, 2013.

Ермолович И. Б., Миленин Г. В., Миленин В. В., Конакова Р. В., Редько Р. А. Об особенностях модификации дефектной структуры в бинарных полупроводниках од действием микроволнового облучения // ЖТФ. - 2007. - Т. 77, № 9. - С. 71-75.

Корбутяк Д. В., Лоцько О. П., Вахняк Н. Д., Конакова Р. В., Миленин В. В., Редько Р. А. Влияние СВЧ-облучения на фотолюминесценцию связанных экситонов в монокристаллах CdTe:Cl // ФТП. - 2011. - Т. 45, № 9. - С. 1175-1181.

Shin H. -Y., Sun C. -Y. Photoluminescence spectra of Cl-doped CdTe crystals // J. Cryst. Growth. - 1998. - Vol. 186, No. 3. - P. 354-361.