Влияние термически активированных структурных превращений в пленках диоксида олова на их электрические свойства

  • Г. С. Хрипунов Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
  • А. В. Пирогов Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
  • В. А. Новиков Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»

Анотація

Досліджуються плівки діоксиду олова, що отримуються методом магнетронного розпилення на постійному струмі. Наведені результати досліджень зміни фазового складу і електричної провідності плівок оксиду олова, отриманих при температурах осадження (150-350) °С при проведенні подальшого відпалу на повітрі при температурі 500 °С на протязі 1 години. Показано, що кількісний характер зміни електропровідності при відпалі залежить від температури осадження плівок оскільки вона визначає зміст субоксидів, а також співвідношення між аморфною і кристалічною фазою діоксиду олова. Виявлені два конкуруючих термічно активованих структурних процесу, що впливають на технічні параметри активних шарів газових датчиків на основі плівок оксиду олова. Запропоновано конструктивно-технологічне рішення активного шару з високою газочутливістю, відтворюваністю і стабільністю.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

Г. С. Хрипунов, Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
Проректор НТУ "ХРІ", д. ф.-м. н., проф.
А. В. Пирогов, Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
Аспірант
В. А. Новиков, Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
Аспірант

Посилання

1. Seiama Т., Kato A., Fujuishi К. A New Detector for Gaseous Components Using Semiconductive Thin Films // Analytical Chemistry. - 1962. - V. 34. - P. 1502-1503.

2. Moseley T. S., Tofield B. C. Solid State Gas Sensors. Bristol: Adam Hilger, 1987. - 245 p.
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник. Под ред. Самсонова А. А. М.: Наука, 1978. - 390 с.

3. Meixner Н., Lampe U. Metal Oxide Sensors // Sensors and Actuators. - 1996. - Vol. B. 33. - P. 198-202.

4. Gopel W., Shierbaum K. D. Sn02 sensors: current status and future prospects // Sensors and Actuators. - 1995. Vol. B 26-27. - P. 1-129.

5. Reactor design for uniform chemikal vapor deposition-grown films without substrare rotation Патент 4649859 США, МКИ H01L21/205. / Wanlass M. (США); Заявлено 19. 02. 85; Опубликовано 17.03.87. - 8 с.

6. Структура и физические свойства твердого тела: Лабораторный практикум / Под редакцией Л. С. Палатника. - К.: Вища школа, 1983 г. - 211 c.

7. Панчеха. П. А. Примесно-размерный фактор формирования структуры тонких металлических пленок // Труды Украинского вакуумного общества Т. 2. Харьков: ННЦ ХФТИ. - 1996. - С. 59-63.
Опубліковано
2015-06-22
Як цитувати
Хрипунов, Г. С., Пирогов, А. В., & Новиков, В. А. (2015). Влияние термически активированных структурных превращений в пленках диоксида олова на их электрические свойства. Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(3), 329 - 337. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/2851

Найбільш популярні статті цього автора (авторів)