Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію
Анотація
В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n-та р-типу.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
1. Zhao X., Schoenfeld O., Komuro S., Aoyagi Y., Sugano T. Quantum confinement in nanometer-sized silicon crystallites // Phys. Rev. B — 1994. —Vol. 50, No. 24. — P. 18654—18657.
2. Rückschloss M. Light emitting nanocrystalline silicon prepared by dry processing: The effect of crystallite size / M. Rückschloss, B. Landkammer, S. Vepek // Appl. Phys. lett. — 1993. — Vol. 63, No. 11. — P. 1474—1476.
3. Zhang Q., C.Bayliss S., Hutt D. Blue photoluminescence and local structure of Si nanostructures embedded in SiO2 matrices // A. Appl. Phys. lett. — 1995. — Vol. 66, No. 15. — P. 1977—1979.
4. Jung M., Lee S., Byun Y. T., Jhon Y. M., Kim S. H., Woo D. H., Mho S. Characteristics and fabrication of nanohole array on InP semiconductor substrate using nanoporous alumina // Microelectronics Journal. — 2008. — No. 39(3—4). — Р. 526—528.
5. Takizawa T., Arai S., Nakahara M. Fabrication of Vertical and UniformSize Porous InP Structure by Electrochemical Anodization // Jpn. J. Appl. Phys. — 1994. — No. 33 Part 2 (5 A). — Р. L643—L645.
6. St. John J. V., Coffer J. L., Rho Y. G., PinizzottoR. F. Formation of rareearth oxide doped silicon by spark processing // Appl. Phys. Lett. — 1996. — No. 68(24). — Р. 3416—3418.
7. Gudino-Martinez A., Rosendo E., Navarro-Contreras H., Vidal M. A. Luminescence of spark processed porous InP // Thin Solid Films. — 1998. — No. 322. — Р. 282—289.
8. Tiginyanu I. M., Schwab C., Grob J. J., Prevot B. Ion implantation as a tool for controlling the morphology of porous gallium phosphide // Appl. Phys. Lett. — 1997. — No. 71(26). — Р. 3829—3831.
9. Sato T., Mizohata A. Photoelectrochemical Etching and Removal of the Irregular Top Layer Formed on InP Porous Nanostructures // Electrochemical and SolidState Letters. — 2008. — No. 11 (5) — Р. 111—113.
10. Gassilloud R. Michler J., Ballif C. Selective etching of n-InP(100) triggered at surfacedislocations induced by nanoscratching // Electrochimica Acta. — 2006. — No. 51. — Р. 2182—2187.
11. Su G., Guo Q., Palmer R. E. Patterned arrays of porous InP from photolithographyand electrochemical etching // J. Appl. Phys. — 2003. — Vol. 94 (12). — Р. 7598—7603.
12. Элъбаум К. Субструктура кристаллов, вы¬ращенных из расплава // Успехи физиче¬ских наук. — 1963 . — Т. LХХIХ, вып. 3, — С. 545—584.
13. Tsuchiya H., Hueppe M., Djenizian T., Schmuki P. Electrochemical formation of porous superlattices on n-type (100) InP // Surface Science. — 2003. Vol. 547. — Р. 268 — 274.
14. Schlierf U., Lockwood D. J., Graham M. J., Schmuki P. Structural and optical properties of p-InP(100) anodizedin halogenic acids // Electrochim. Acta. — 2004. — Vol. 49(11). — P. 1743—1749.
15. Dikusar A. I., Bruk L. I., Monaico E. V., Sherban D. A., Simashkevich A. V., Tiginyanu I. M. Photoelectric Structures Based on Nanoporous p-InP // Surface engineering and applied electrochemistry. — 2008. — Vol. 44 (1). — Р. 1—5.
16. Suchikova Y. A., Kidalov V. V., Sukach G. A. Morphology of porous n-InP (100) obtained by electrochemical etching in HCl solution // Functional Materials. — 2010. — Vol. 17, No. 1. — P. 1—4.
17. Дмитрук М. Л., Барлас Т. Р., Сердюк В. О. Пористі напівпровідники А3В5: технологія електрохімічного пороутворення, структура та оптичні властивості (Огляд) // Фізика і хімія твердого тіла. — 2010. — Т. 11, № 1. — С. 13 — 33.
2. Rückschloss M. Light emitting nanocrystalline silicon prepared by dry processing: The effect of crystallite size / M. Rückschloss, B. Landkammer, S. Vepek // Appl. Phys. lett. — 1993. — Vol. 63, No. 11. — P. 1474—1476.
3. Zhang Q., C.Bayliss S., Hutt D. Blue photoluminescence and local structure of Si nanostructures embedded in SiO2 matrices // A. Appl. Phys. lett. — 1995. — Vol. 66, No. 15. — P. 1977—1979.
4. Jung M., Lee S., Byun Y. T., Jhon Y. M., Kim S. H., Woo D. H., Mho S. Characteristics and fabrication of nanohole array on InP semiconductor substrate using nanoporous alumina // Microelectronics Journal. — 2008. — No. 39(3—4). — Р. 526—528.
5. Takizawa T., Arai S., Nakahara M. Fabrication of Vertical and UniformSize Porous InP Structure by Electrochemical Anodization // Jpn. J. Appl. Phys. — 1994. — No. 33 Part 2 (5 A). — Р. L643—L645.
6. St. John J. V., Coffer J. L., Rho Y. G., PinizzottoR. F. Formation of rareearth oxide doped silicon by spark processing // Appl. Phys. Lett. — 1996. — No. 68(24). — Р. 3416—3418.
7. Gudino-Martinez A., Rosendo E., Navarro-Contreras H., Vidal M. A. Luminescence of spark processed porous InP // Thin Solid Films. — 1998. — No. 322. — Р. 282—289.
8. Tiginyanu I. M., Schwab C., Grob J. J., Prevot B. Ion implantation as a tool for controlling the morphology of porous gallium phosphide // Appl. Phys. Lett. — 1997. — No. 71(26). — Р. 3829—3831.
9. Sato T., Mizohata A. Photoelectrochemical Etching and Removal of the Irregular Top Layer Formed on InP Porous Nanostructures // Electrochemical and SolidState Letters. — 2008. — No. 11 (5) — Р. 111—113.
10. Gassilloud R. Michler J., Ballif C. Selective etching of n-InP(100) triggered at surfacedislocations induced by nanoscratching // Electrochimica Acta. — 2006. — No. 51. — Р. 2182—2187.
11. Su G., Guo Q., Palmer R. E. Patterned arrays of porous InP from photolithographyand electrochemical etching // J. Appl. Phys. — 2003. — Vol. 94 (12). — Р. 7598—7603.
12. Элъбаум К. Субструктура кристаллов, вы¬ращенных из расплава // Успехи физиче¬ских наук. — 1963 . — Т. LХХIХ, вып. 3, — С. 545—584.
13. Tsuchiya H., Hueppe M., Djenizian T., Schmuki P. Electrochemical formation of porous superlattices on n-type (100) InP // Surface Science. — 2003. Vol. 547. — Р. 268 — 274.
14. Schlierf U., Lockwood D. J., Graham M. J., Schmuki P. Structural and optical properties of p-InP(100) anodizedin halogenic acids // Electrochim. Acta. — 2004. — Vol. 49(11). — P. 1743—1749.
15. Dikusar A. I., Bruk L. I., Monaico E. V., Sherban D. A., Simashkevich A. V., Tiginyanu I. M. Photoelectric Structures Based on Nanoporous p-InP // Surface engineering and applied electrochemistry. — 2008. — Vol. 44 (1). — Р. 1—5.
16. Suchikova Y. A., Kidalov V. V., Sukach G. A. Morphology of porous n-InP (100) obtained by electrochemical etching in HCl solution // Functional Materials. — 2010. — Vol. 17, No. 1. — P. 1—4.
17. Дмитрук М. Л., Барлас Т. Р., Сердюк В. О. Пористі напівпровідники А3В5: технологія електрохімічного пороутворення, структура та оптичні властивості (Огляд) // Фізика і хімія твердого тіла. — 2010. — Т. 11, № 1. — С. 13 — 33.
Опубліковано
2015-04-27
Як цитувати
Сичікова, Я. О. (2015). Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію. Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(4), 515-521. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/1481
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
