Експериментально-статистичне моделювання застосування радіаційно-технологічних процесів (РТП) для уповільнення деградації UOL біполярних інтегральних мікросхем (ІМС) у полях іонізуючих випромінювань
Анотація
В роботі аналізується розподіл рівня сигналу «логічний нуль» (UOL) для вибірки біполярних ІМС, виготовлених із застосуванням радіаційно-технологічного процесу з використанням α-частинок від радіоізотопного джерела і електронів з енергією @ 5 МеВ при дії γ- і електронного тестуючого опромінення. Доведена можливість ефективного підвищення радіаційної стійкості ІМС, що мають бімодальний розподіл UOL до опромінення.
Завантаження
Посилання
Мироненко Л. Повышение радиационной стойкости интегральных схем. Конструктивные методы на базе промышленной технологии / Л. Мироненко, В. Юдинцев // Электроника. – 2012, № 8 (00122). – С. 74-87.
Полесский С. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры космических аппаратов при проектировании / С. Полесский, В. Жаднов, М. Артюхова, В. Прохоров // Компоненты и технологии. – 2010, № 9. – С. 93-98.
Bytkin S. V. Improvement of the radiation hardness of the digital bipolar IC with dielectric isolation. manufactured in accordance with the RTP technology / S. V. Bytkin // Components fit for Space Seminar Proceedings. Royal Military College of Science. Shrivenham. Swindon. UK. (17th February 1999). pp. 99-108.
Bytkin S. V. Comparison of the Radiation Hardness of the Dielectric Isolation ICs Made in Accordance With Different Types of the Preliminary Radiation & Thermal Processing / S. V. Bytkin // 2nd Military and Aerospace Applications of Programmable Devices and Technologies Conference (MAPLD 1999) Proceedings. September 28-30. 1999. The Johns Hopkins University - Applied Physics Laboratory. Laurel. Maryland. USA. http://klabs.org/richcontent/MAPLDCon99/Papers/P4_Bytkin_P.pdf
Быткин С. В. Конкурентная разведка конъюнктурно-технологических перспектив традиционного и high-tech экспорта Украины: монография / С. В. Быткин // Запоріз. держ. інж. акад. – Запоріжжя: ЗДІА, 2017. – 276 с.
Лагов П. Б. Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки. / П. Б. Лагов // Дисс… доктора технич. наук по специальности 05.27.01 – Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. МИСиС, М.– 2017
Козлов В. А. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и α-частицами. / В. А. Козлов, В. В. Козловский // Обзор. Физика и техника полупроводников. – 2001. – Т. 35, вып. 7. – С. 769-795.
Вологдин Э. Н. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах и методы испытаний изделий полупроводниковой электроники на радиационную стойкость. Учебное пособие по дисциплине «Радиационная стойкость изделий электронной техники» // Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. НОЦ – Московский государственный институт электроники и математики. Составители: Вологдин Э. Н., Лысенко А. П. М., 2002. – 46 с.
Starchyk M. I. Voids’ layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions. Semiconductor Physics. / M. I. Starchyk, L. S. Marchenko, M. B. Pinkovska, G. G. Shmatko, V. I. Varnina // Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2015. – Vol. 18. No. 3. – P. 292-296. doi: 10.15407/spqeo18.03.292
Чернов И. П. Упорядочение структуры кристаллов ионизирующим излучением (эффект малых доз ионизирующего излучения) / И. П. Чернов, А. П. Мамонтов // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] / Томский политехнический университет (ТПУ). – Томск: Изд-во НТЛ, 2000. – Т. 303, вып. 1. – С. 74-80.
