Experimental and statistical modeling of the application of radiation technological processes (RTP) for decelaration of bipolar integral circuits (IC) UOL degradation in the fields of ionizing radiations
Keywords:
increase of radiation resistance of IC, application of radiation-technological processAbstract
The work analyzes the distribution of the signal level “logical zero” (UOL) for the sampling of bipolar ICs manufactured using the radiation-technological process based on using α-particles from a radioisotope source and electrons with an energy of @ 5 MeV under the action of testing γ- and electron irradiation. The possibility of effectively increasing the radiation resistance of ICs having a bimodal UOL distribution before irradiation was shown.
References
Мироненко Л. Повышение радиационной стойкости интегральных схем. Конструктивные методы на базе промышленной технологии / Л. Мироненко, В. Юдинцев // Электроника. – 2012, № 8 (00122). – С. 74-87.
Полесский С. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры космических аппаратов при проектировании / С. Полесский, В. Жаднов, М. Артюхова, В. Прохоров // Компоненты и технологии. – 2010, № 9. – С. 93-98.
Bytkin S. V. Improvement of the radiation hardness of the digital bipolar IC with dielectric isolation. manufactured in accordance with the RTP technology / S. V. Bytkin // Components fit for Space Seminar Proceedings. Royal Military College of Science. Shrivenham. Swindon. UK. (17th February 1999). pp. 99-108.
Bytkin S. V. Comparison of the Radiation Hardness of the Dielectric Isolation ICs Made in Accordance With Different Types of the Preliminary Radiation & Thermal Processing / S. V. Bytkin // 2nd Military and Aerospace Applications of Programmable Devices and Technologies Conference (MAPLD 1999) Proceedings. September 28-30. 1999. The Johns Hopkins University - Applied Physics Laboratory. Laurel. Maryland. USA. http://klabs.org/richcontent/MAPLDCon99/Papers/P4_Bytkin_P.pdf
Быткин С. В. Конкурентная разведка конъюнктурно-технологических перспектив традиционного и high-tech экспорта Украины: монография / С. В. Быткин // Запоріз. держ. інж. акад. – Запоріжжя: ЗДІА, 2017. – 276 с.
Лагов П. Б. Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки. / П. Б. Лагов // Дисс… доктора технич. наук по специальности 05.27.01 – Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. МИСиС, М.– 2017
Козлов В. А. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и α-частицами. / В. А. Козлов, В. В. Козловский // Обзор. Физика и техника полупроводников. – 2001. – Т. 35, вып. 7. – С. 769-795.
Вологдин Э. Н. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах и методы испытаний изделий полупроводниковой электроники на радиационную стойкость. Учебное пособие по дисциплине «Радиационная стойкость изделий электронной техники» // Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. НОЦ – Московский государственный институт электроники и математики. Составители: Вологдин Э. Н., Лысенко А. П. М., 2002. – 46 с.
Starchyk M. I. Voids’ layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions. Semiconductor Physics. / M. I. Starchyk, L. S. Marchenko, M. B. Pinkovska, G. G. Shmatko, V. I. Varnina // Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2015. – Vol. 18. No. 3. – P. 292-296. doi: 10.15407/spqeo18.03.292
Чернов И. П. Упорядочение структуры кристаллов ионизирующим излучением (эффект малых доз ионизирующего излучения) / И. П. Чернов, А. П. Мамонтов // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] / Томский политехнический университет (ТПУ). – Томск: Изд-во НТЛ, 2000. – Т. 303, вып. 1. – С. 74-80.
