Дослідження ефекту насичення струму стоку польового транзистора з послідовно з'єднаними каналами

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
  • О. А. Абдулхаев Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
  • Э. Н. Якубов Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
  • Ш. Ш. Юлдашев Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
  • А. А. Тураев Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
Ключові слова: польовий транзистор, насичення струму стоку, режим включення, передатні характеристики, коефіцієнт підсилення

Анотація

Наведено результати дослідження динамічної модуляції каналу польового транзистора за допомогою другого послідовно з’єднаного до джерела польового транзистора виконуючого функцію подвійного затвора за рахунок керованої зміни перерозподілу напруги в додатковому керуючому p-n-переході. Порівняння вихідних стокових характеристик із характеристиками польового транзистора, керованого падаючою напругою в каналі другого транзистора показало, що запропонований процес насичення струму стоку обумовлений розширенням області об’ємного заряду по всій ширині затвора підтверджується, забезпечуючи яскраво виражене насичення струму стоку й високий динамічний опір. Експериментально показано, що коефіцієнт підсилення польового транзистора має на порядок більше значення (70) у порівнянні із традиційними включеннями із загальним джерелом (5) або з динамічним навантаженням. Коефіцієнт підсилення стає функцій замикаючої напруги, і його максимальні значення досягаються при замикаючій напрузі рівному половині напруги відсічення. Це обумовлено тим, що обидва канали транзистора модулюються ефективно до ділянки напруги насичення струму стоку. Запропоновано експериментальний експрес метод визначення опору каналу польового транзистора.

 

 

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

А. В. Каримов, Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
с.н.с.
Д. М. Ёдгорова, Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
с.н.с.
О. А. Абдулхаев, Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
с.н.с.
Э. Н. Якубов, Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
с.н.с.
Ш. Ш. Юлдашев, Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
с.н.с.
А. А. Тураев, Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” АН РУз (Ташкент)
с.н.с.

Посилання

Ёдгорова Д.М. Механизм насыщения тока стока полевого транзистора//Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2006. – № 5(65). – С. 58-61.

Каримов А.В., Джураев Д.Р., Ёдгорова Д.М., Рахматов А.З., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М., Тураев А.А. Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе//Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2011. – № 1-2 (90). – С. 25-27.

Касперски Крис. Транзисторы сегодня и завтра. Chip 09/2003. http://www.radioradar.net/ hand_ book/documentation/vtt.html.

Милехин А.Г. Радиотехнические схемы на полевых транзисторах//Энергия. – 1976. – С. 28-29.

Моделирование электронных характеристик силовых транзисторов и передаточных характеристик. www.cnaa.md/files/theses/2011/ 18230/alexandr_penin_thesis.pdf.
Опубліковано
2012-08-26
Як цитувати
Каримов, А. В., Ёдгорова, Д. М., Абдулхаев, О. А., Якубов, Э. Н., Юлдашев, Ш. Ш., & Тураев, А. А. (2012). Дослідження ефекту насичення струму стоку польового транзистора з послідовно з’єднаними каналами. Журнал фізики та інженерії поверхні, 10(4), 336- 341. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10073