Емпіричне співвідношення електронних та оптичних властивостей бінарних тетраедричних напівпровідників
DOI:
https://doi.org/10.26565/2312-4334-2021-1-11Ключові слова:
іонність, атомний номер, цинкова обманка, заборонена зонаАнотація
Концепція іонності, розроблена Філліпсом та Ван Вехтеном, виникла в результаті діелектричного аналізу напівпровідників, а ізолятори використовувались для оцінки різних параметрів зв'язку двійкових чотиригранних напівпровідників (AIIBVI та AIIIBV). Тут представлений огляд розуміння кореляції між атомним номером та оптоелектронними властивостями твердих кристалів із змішаною кристалічною структурою цинку. У цій роботі попередня гіпотеза середнього атомного числа елементів у сполуці була використана для оцінки власних електронних та оптичних параметрів, таких як іонна щілина (Ec), середня заборонена зона (Eg), іонність кристалів (fi) та діелектрична проникність (ϵ) подвійних тетраедричних напівпровідників.
Посилання
M.B. Kanoun, S. Goumri-Said, A.E. Merad, G. Merad, J. Ciberti, and H. Aourang, Semicond. Sci. Technol. 19, 1220 (2004), https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/11/002.
S.Q. Wang, H.Q. Ye, J. Phys.: Condens. Matter, 17, 4475 (2005), https://doi.org/10.1088/0953-8984/17/28/007.
V. Kumar, and B.S.R. Sastry, J. Phys. Chem. Solids 66, 99-102 (2005), https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2004.08.034.
N. Guezmir, J. Ouerfelli, and S. Belgacem, Mater. Chem. Phys. 96, 116 (2006), https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2005.06.059.
M.S. Omar, Mater. Res. Bull. 42, 961 (2007), https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2006.08.008.
A.E. Merad, M.B. Kanoun, G. Merad, J. Cibert, and H. Aourag, Mater. Chem. Phys. 92, 333 (2005), https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2004.10.031.
H.M. Tutuncu, S. Bagci, G.P. Srivastava, A.T. Albudak, and G. Ugur, Phys. Rev. B, 71, 195309 (2005), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.195309.
B.F. Levine, Phys. Rev. B, 7, 2591 (1973), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.7.2591.
J.A. Van Vecheten, Phys. Rev. B, 1, 3351 (1970), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.1.3351.
J.C. Phillips and Van Vechten, Phys. Rev. B, 2, 2147 (1970), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.2.2147.
J.C. Phillips, Bonds and Bands in Semiconductors (Academic Press, New York, (1973).
A.C. Sharma, and S. Auluck, Phys. Rev. B, 28, 965 (1983), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.28.965.
P.R. Sarode, Phys. Stat. Sol. (b), 88, K35 (1978), https://doi.org/10.1002/pssb.2220880152.
A. Garcia, and M.L. Cohen, Phys. Rev. B, 47, 4215 (1993), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.47.4215.
D.R. Penn, Phys. Rev. 128, 2093 (1962), https://doi.org/10.1103/PhysRev.128.2093.
M. Ferhat, A. Zaoui, M. Certier, and B. Khelifa, Phys. Stat. Sol. (b), 195, 415 (1996), https://doi.org/10.1002/pssb.2221950210.
A.S. Verma, Solid State Commun. 149, 1236 (2009), https://doi.org/10.1016/j.ssc.2009.04.011.
O.P. Singh, and V.P. Gupta, Phys. Status Solidi (b), 129, K153, (1985).
O.P. Singh, and V. Gupta, Phys. Status Solidi (b), 137, 97 (1986).
D.V. Singh, and V.P. Gupta, Phys. Status Solidi (b), 171, K71, (1992).
B.F. Levine, Phys. Rev. B, 7, 2600 (1973), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.7.2600.
V. Kumar Srivastava, Phys. Rev. B, 36, 5044 (1987), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.36.5044.
V. Kumar, J. Phys. Chem. Solids, 48, 827 (1987), https://doi.org/10.1016/0022-3697(87)90033-3.
V. Kumar Srivastava, J. Phys. C, Solid State Phys. 19, 5689 (1986), https://doi.org/10.1088/0022-3719/19/28/019.
A. Jayaraman, B. Batlogg, R.G. Maines, and H. Bach, Phys. Rev. B, 26, 3347 (1982), https://doi.org/10.1103/PhysRevB.26.3347.
D.B. Srideshmukh, and K.G. Subhadra, J. Appl. Phys. 59, 276 (1986), https://doi.org/10.1063/1.336826.
K.S. Krishnan, and S.K. Roy, Proc. R. Soc. London, 210, 481 (1952), https://doi.org/10.1098/rspa.1952.0014.
A.S. Verma, and S.R. Bhardwaj, Phys. Stat. Sol. (b), 243, 4025 (2006), https://doi.org/10.1002/pssb.200642229.
D.R. Penn, Phys. Rev. 128, 2093 (1962), https://doi.org/10.1103/PhysRev.128.2093.
W.K. Kucharczyk, Phys. Stat. Sol. (b), 180, K27 (1993), https://doi.org/10.1002/pssb.2221800133.
B.R. Nag, Appl. Phys. Lett. 65, 1938 (1994), https://doi.org/10.1063/1.112823.
S. Sen, D.N. Bose, and M.S. Hegde, Phys. Stat. Sol. (b), 129, K65 (1985), https://doi.org/10.1002/pssb.2221290162.
S.V. Adhyapak, S.M. Kanetkar, and A.S. Nigavekar, Nuovo Cimento, 35, B179 (1976).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
