Вплив ударної іонізації на генерацію діодів на основі нітридів

Анотація

Розглядається робота діодів на основі сполук AlGaN та InGaN в режимі обмеження накопичення об’ємного заряду. Аналізується ефективність генерації діодів із урахуванням можливості виникнення ударної іонізації.
Аналіз роботи діодів проводився із використанням методу Монте-Карло у наближенні локальної залежності швидкості ударної іонізації від напруженості електричного поля. Визначені максимальні ефективності генерації діодів на заданій частоті та частотний діапазон їх роботи. Отримані енергетичні характеристики діодів з різною довжиною і складом матеріалу. Молярна частка алюмінію і індію змінювалась від 0 до 0,4.
Показано, що ударна іонізація найбільше впливає на роботу InGaN – діодів та призводить до зменшення ефективності їх генерації.