Моделювання теплових процесів високочастотного кремнієвого p-i-n-діода

Автор(и)

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
  • А. А. Каримов Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
  • А. З. Рахматов Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
  • К. Т. Дадаматова Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент

Ключові слова:

температура, тепловий опір, тривалість імпульсу, теплова модель, електрична схема

Анотація

Розглянуто теплові процеси у високочастотному діоді, що дозволяють визначити динаміку змінювання температури у кожній частині діода в залежності від тривалості дії імпульсу, а також прогнозувати максимальну робочу температуру. Отримані результати становлять інтерес для оптимізації електричних характеристик і матеріалів конструкції силових діодів.

Біографії авторів

  • автор А. В. Каримов, афіліація Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент

    С.н.с.

  • автор А. А. Каримов, афіліація Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
    С.н.с.
  • автор А. З. Рахматов, афіліація Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
    С.н.с.
  • автор К. Т. Дадаматова, афіліація Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
    С.н.с.

Опубліковано

2017-03-24

Номер

Том 12 № 1 (2014): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Моделювання теплових процесів високочастотного кремнієвого p-i-n-діода. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(1), 14-19. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8160

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають