Формування регулярної пористої структури р-InP

Автор(и)

  • Я. А. Сычикова Бердянський державний педагогічний університет image/svg+xml
  • В. В. Кидалов Бердянський державний педагогічний університет image/svg+xml
  • Г. А. Сукач Бердянський державний педагогічний університет image/svg+xml

Ключові слова:

пористий InP; анодне електрохімічне травління; скануюча електронна мікроскопія; метод енергодисперсійного аналізу рентгенівських променів

Анотація

Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині соляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала. Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на поверхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматеріалів.

Біографії авторів

  • автор Я. А. Сычикова, афіліація Бердянський державний педагогічний університет

    Вчений

  • автор Г. А. Сукач, афіліація Бердянський державний педагогічний університет

    Вчений

Завантаження

Опубліковано

2019-07-26

Номер

Том 8 № 1 (2010): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Формування регулярної пористої структури р-InP. (2019). Журнал фізики та інженерії поверхні, 8(1), 81-87. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13454

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають