Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
Анотація
В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
1. Новиков Е. А. Функционалы и метод случайных сил в теории турбулентности // ЖЭТФ. — 1964. — Т. 47, № 5. — С. 1919–1926.
2. Сычикова Я. А. Влияние состава электролита на величину порогового напряжения начала порообразования фосфида индия // Физическая инженерия поверхности. —
2010. — Т. 8, № 3. — С. 259–264.
3. Сичікова Я. О., Кідалов В. В., Балан О. С., Сукач Г. О. Тестурування поверхні фосфіду індію // Журнал нано- і електронної фізики. — 2010. — № 1. — С. 84–88.
4. Сичікова Я. О., Кідалов В. В., Сукач Г. О., Кірілаш О. І. Методика отримання та дослідження морфології поруватих шарів pInP та pGaAs // Електроніка та зв’язок. — 2010. Т. 4, № 57. — С. 34–36.
5. Кляцкин В. И. Стохастические уравнения глазами физика. Основные положения, точные результаты и асимптотические приближения. — М.: Физматлит, 2001.
6. Кляцкин В., Гурарий Д. Когерентные явления в стохастических динамических системах // УФН. — 1999. — Т. 169, № 2. — С. 171–207.
7. Nicolis G., Prigogin I. Exploring Complexity, an Introduction — N. Y.: W. H. Freeman and Company, 1989.
8. Isichenko M. B. Percolation, statistical topography, and transport in random media // Rev. Modern Phys. — 1992. — Vol. 64, No. 4. — P. 961–1043.
9. Ареф Х. Развитие хаотической адвекции // Нелинейная динамика. — 2006. — Т. 2, № 1. — С. 111–133.
10. Михайлов А. С., Упоров И. В. Критические явления в средах с разложением, распадом и диффузией // УФН. — 1984. — Т. 144, № 3. — С. 79–112.
2. Сычикова Я. А. Влияние состава электролита на величину порогового напряжения начала порообразования фосфида индия // Физическая инженерия поверхности. —
2010. — Т. 8, № 3. — С. 259–264.
3. Сичікова Я. О., Кідалов В. В., Балан О. С., Сукач Г. О. Тестурування поверхні фосфіду індію // Журнал нано- і електронної фізики. — 2010. — № 1. — С. 84–88.
4. Сичікова Я. О., Кідалов В. В., Сукач Г. О., Кірілаш О. І. Методика отримання та дослідження морфології поруватих шарів pInP та pGaAs // Електроніка та зв’язок. — 2010. Т. 4, № 57. — С. 34–36.
5. Кляцкин В. И. Стохастические уравнения глазами физика. Основные положения, точные результаты и асимптотические приближения. — М.: Физматлит, 2001.
6. Кляцкин В., Гурарий Д. Когерентные явления в стохастических динамических системах // УФН. — 1999. — Т. 169, № 2. — С. 171–207.
7. Nicolis G., Prigogin I. Exploring Complexity, an Introduction — N. Y.: W. H. Freeman and Company, 1989.
8. Isichenko M. B. Percolation, statistical topography, and transport in random media // Rev. Modern Phys. — 1992. — Vol. 64, No. 4. — P. 961–1043.
9. Ареф Х. Развитие хаотической адвекции // Нелинейная динамика. — 2006. — Т. 2, № 1. — С. 111–133.
10. Михайлов А. С., Упоров И. В. Критические явления в средах с разложением, распадом и диффузией // УФН. — 1984. — Т. 144, № 3. — С. 79–112.
Опубліковано
2015-12-04
Як цитувати
Сычикова, Я. А. (2015). Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5. Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(2), 164 -. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/4554
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
