Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5

Автор(и)

  • Я. А. Сычикова Бердянский государственный педагогический университет

Анотація

В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах.

Біографія автора

  • автор Я. А. Сычикова, афіліація Бердянский государственный педагогический университет
    Доцент

Завантаження

Опубліковано

2015-12-04

Номер

Том 13 № 2 (2015): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5. (2015). Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(2), 164 – 168. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/4554

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають