Тензорезистивний ефект  у полікристалічних напівпровідниках  з урахуванням поздовжнього і поперечного  поверхневих електронних станів

Х. М. Сулаймонов Ферганский политехнический институт
Н. Х. Юлдашев Ферганский политехнический институт

Ключові слова: полікристалічні напівпровідники, імпеданс, область просторових зарядів, поздовжні і поперечні потенційні бар’єри, поверхневий стан, коефіцієнт тензочутливості

Анотація

Теоретично розраховані імпеданс і коефіцієнт тензочутливості полікристалічних напів провідників з урахуванням внеску модуляції поперечних приповерхневих областей поверхневого заряду кристалічних зерен під дією механічної деформації та впливу поперечних поверхневих станів, що приймають участь у формуванні перпендикулярних до напрямку струму потенційних бар’єрів.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

Х. М. Сулаймонов, Ферганский политехнический институт

С.н.с.

Н. Х. Юлдашев, Ферганский политехнический институт

С.н.с.

Посилання

Колосов С. А., Клевков Ю. В., Плотников А. Ф. // ФТП. — 2006.— № 9 (40). — С. 1028–1032.

Абдуллаев Э. А., Юлдашев Н. Х. Эффект пьезосопротивлния в халькогенидах свинца и висмута. — Т.: «Фан», 1989. — Гл. 4. — 184 с.

Архипов А. Н., Ждан А. Г., Сандомирский В. Б. Тензочувствительность полупроводниковых пленок, содержащих межгранульные барьеры. // ФТП. — 1974. — Т. 8(5). — 1314 с.

Атакулов Ш. Б., Термо- и тензометрические свойства пленок халькогенидов свинца и висмута с неоднородным потенциальным рельефом. Дисс. канд. физ.-мат. наук. — Т. ФТИ АН РУз, 1981.

Султонов Ш. Д., Юлдашев Н. Х. Роль внутренних механических напряжений
в формировании деформационных характеристик поликристаллических пленок // ФИП. — 2009. — Т. 7, № 1–2. — С.123–129.