Тензорезистивний ефект  у полікристалічних напівпровідниках  з урахуванням поздовжнього і поперечного  поверхневих електронних станів

Х. М. Сулаймонов Ферганский политехнический институт
Н. Х. Юлдашев Ферганский политехнический институт

Ключові слова: полікристалічні напівпровідники, імпеданс, область просторових зарядів, поздовжні і поперечні потенційні бар’єри, поверхневий стан, коефіцієнт тензочутливості

Анотація

Теоретично розраховані імпеданс і коефіцієнт тензочутливості полікристалічних напів провідників з урахуванням внеску модуляції поперечних приповерхневих областей поверхневого заряду кристалічних зерен під дією механічної деформації та впливу поперечних поверхневих станів, що приймають участь у формуванні перпендикулярних до напрямку струму потенційних бар’єрів.

Завантаження

Біографії авторів

Х. М. Сулаймонов, Ферганский политехнический институт

С.н.с.

Н. Х. Юлдашев, Ферганский политехнический институт

С.н.с.

Посилання

Колосов С. А., Клевков Ю. В., Плотников А. Ф. // ФТП. — 2006.— № 9 (40). — С. 1028–1032.

Абдуллаев Э. А., Юлдашев Н. Х. Эффект пьезосопротивлния в халькогенидах свинца и висмута. — Т.: «Фан», 1989. — Гл. 4. — 184 с.

Архипов А. Н., Ждан А. Г., Сандомирский В. Б. Тензочувствительность полупроводниковых пленок, содержащих межгранульные барьеры. // ФТП. — 1974. — Т. 8(5). — 1314 с.

Атакулов Ш. Б., Термо- и тензометрические свойства пленок халькогенидов свинца и висмута с неоднородным потенциальным рельефом. Дисс. канд. физ.-мат. наук. — Т. ФТИ АН РУз, 1981.

Султонов Ш. Д., Юлдашев Н. Х. Роль внутренних механических напряжений
в формировании деформационных характеристик поликристаллических пленок // ФИП. — 2009. — Т. 7, № 1–2. — С.123–129.