Coherent emission from a stack of long Josephson junctions based on low-temperature superconductors

Анотація

Теорію когерентної емісії внутрішніх контактів Джозефсона застосовано до розрахунків вольт - амперних характеристик та потужності емісії пачки з двох індуктивно пов’язаних один з одним довгих контактів з високою густиною критичних струмів (до 106 А/м2) на основі низькотемпературних надпровідників (плівок MoRe). Бар’єри були зроблені з суміші Si та W. Бар’єри мали товщину близько 15 нм. Випадково розподілені кластери вольфраму у товстому бар’єрі кремнію забезпечували слабі зв’язки між надпровідними плівками MoRe. Критична температура надпровідних плівок MoRe була 9 K. Розрахунки були зроблені для системи при температурі 7.7 K. Випадковий розбіг критичних струмів вздовж контакту привів до появи сходинки нульового поля на вольт - амперній характеристиці контакту. Та ж сходинка нульового поля виникає, якщо на краях контакту з однорідним розподілом критичних струмів є навантаження з електричного опору, конденсатора та індуктивності. В пачці з двох контактів сильна когерентна емісія виникла на сходинці нульового поля, яка відповідає синфазній моді осциляцій напруги.