Структура, морфологія та електричні властивості плівок Ni1-xLixO, отриманих золь-гель методом

doi:10.26565/2220-637X-2013-22-22

A. S. Bezkrovny НТК «Інститут монокристалів» НАН України
N. V. Babaevskaya НТК «Інститут монокристалів» НАН України
P. V. Mateichenko НТК «Інститут монокристалів» НАН України
O. M. Vovk НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Yu. N. Savina НТК «Інститут монокристалів» НАН України
A. K. Kapustnik НТК «Інститут монокристалів» НАН України

DOI: https://doi.org/10.26565/2220-637X-2013-22-22

Ключові слова: плівки оксиду нікелю, літій, золь-гель, електричні властивості

Анотація

Плівки оксиду нікелю (NiO) та Ni_1-xLi_xO (товщиною 20-100 нм) були отримані за золь-гель технологією методом центрифугування на скляних підкладках. Досліджено вплив температури відпалу плівок на їх структуру і морфологію. Показано, що температурний інтервал формування беспорістих кристалічних плівок NiO становить 250 - 500 ° C. Досліджено вплив концентрації літію в плівках Ni_1-xLi_xO на їх структуру, морфологію і електричний опір. Встановлено, що бездефектні плівки формуються до концентрації літію 40 ат. %. Дослідження електричних властивостей даних плівок показало збільшення електропровідності плівок до концентрації літію 40 ат. % Та збільшення товщини плівок від 20 до 100 нм. Мінімальний електричний опір (10⁴ Ω ∙ cm) спостерігається для плівок товщиною 100 нм складу Ni_0.60Li_0.40O.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

J.M. Caruge, J.E. Halpert, V. Wood, V. Bulović, M.G. Bawendi, Nature Photonics, 2 (2008) 247.

V. Wood, M. J. Panzer, J.E. Halpert, J.M. Caruge, M.G. Bawendi, V. Bulović, Am. Chem. Soc., 3 (2009) 3581.

K.X. Steirer, J. P. Chesin, N.E. Widjonarko, J.J. Berry, A. Miedaner, D.S. Ginley, D.C. Olson, Organic Electronics, 11 (2010) 1414.

B. Ling, X.W. Sun, J.L. Zhao, Ch. Ke, S.T. Tan, R. Chen, H.D. Sun, Zh. L. Dong, J. Phys. Chem. C, 114 (2010) 18390.

J. Zhai, D. Wang, L. Peng, Y. Lin, X. Li , T. Xie, Sensors and Actuators B, 147 (2010) 234.

M.A. Flores-Mendoza, R. Castanedo-Perez, G. Torres-Delgado, J. Márquez Marín, O. Zelaya-Angel, Thin Solid Films, 517 (2008) 681.

F. Xu, M. Dai, Y. Lu, L. Sun, J. Phys. Chem. C, 114 (2010) 2776.

M. Izerrouken, S. Kermadi, N. Souami, A. Sari, M. Boumaour, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, 611 (2009) 14.

H. Sato, T. Minami, S. Takata, T. Yamada, Thin Solid Films, 236 (1993) 27.

[10] A.A. Al-Ghamdi, W. E. Mahmoud, S.J. Yaghmour, F.M. Al-Marzouki, J. Alloys and Comp., 486 (2009) 9.

Yu.A. Brusentsov, A.M. Minayev, Uchebnoje Posobiye, Tambov: Tambov Univ. State. Tech-nical. Press., (2002) 80.

H. Sato, T. Minami, S. Takata, T. Yamada, Thin Solid Films, 236 (1993) 27.

K.S. Ahn, Y.Ch. Nah, Y.E Sung, J. Vac. Sci. Technol. A, 20 (2002) 1468.

S.W. Park, J.M. Choi, E. Kim, Seongil Im, Applied Surface Sci., 244 (2005) 439.

D. Duygu Dogan, Yasemin Caglar, Saliha Ilican, Mujdat Caglar, J. Alloys and Comp., 509 (2011) 2461.

M. Martini, G.E.S. Brito, M.C.A. Fantini, A.F. Craievich, A. Gorenstein, Electrochimica Acta, 46 (2001) 2275.

A. Sawaby, M.S. Selim, S.Y. Marzouk, M.A. Mostafa, A. Hosny, Physica B, 405 (2010) 3412.

B.T. Raut, S.G. Pawar, M.A. Chougule, S. Sen, V.B. Patil, J. Alloys Compd. 509 (2011) 9065.

S. Banerjee, A. Santhanam, A. Dhathathreyan, P.M. Rao, Langmuir, 19 (2003) 5522.

W. Guo, K. N. Hui, K.S. Hui, Materials Letters, 92 (2013) 291.

H.A. Juybari, M.M. Bagheri-Mohagheghi, M. Shokooh-Saremi, J. Alloys and Comp. 509 (2011) 2770.

S.P. Srivatava, R.C. Srivatava, I.D. Shing, S.D. Pandey, P.L. Gupta, J. Phys Soc. Japan, 43, (1977) 885.

C.J. Toussaint, J. Appl. Crystallography, 4 (1971) 293.