Властивості гібридних структур, вирощених на основі нанокомпозиту (Ni-C) на Ван-дер-Ваальсовій поверхні (0001) GaSe

Анотація

Методами атомно-силової мікроскопії, рентгенівської фотоелектронної спектроскопії і комбінаційного розсіяння світла досліджені морфологія і хімічний склад металевих (Ni), вуглецевих, нанокомпозитних (Ni-C) і оксидних (Ga₂0₃) наноструктур, вирощених на ван-дер-ваальсовій поверхні шаруватого напівпровідника (0001) GaSe. Структури вирощувалися методом вакуумного осадження нанорозмірних крапель матеріалу, що випаровувався електронним пучком з рідкого іонного джерела в електричному полі. На агомарно-гладкій поверхні підкладки з молекулярним типом зв’язку були вирощені щільні (латеральна щільність > 10¹⁰ см^-2) однорідні масиви інкапсульованих у вуглецеві оболонки наночастинок нікелю (Ni@C) з геометричними розмірами ~ 1 ... 15 нм. Досліджені процеси самоорганізації ансамблів наночастинок Ni і Ni@C на ван-дер- ваальсовій поверхні підкладки при її окисленні в умовах інтенсивного оптичного УФ опромінення. Досліджені процеси формування вуглецевих і нанокомпозитних (Ni-C) наноструктур на поверхнях (0001) GaSe з низькою концентрацією обірваних зв’язків (вакансій Se) і на окислених поверхнях Ga2O₃/(0001) GaSe з високою концентрацією кисневих вакансій.