Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe
Ключові слова:
селенід індію, електронне опромінення, змішана провідність, ефект Холла, рухливість, домішкова зонаАнотація
В температурній області 80 ÷ 400 К досліджено електричні властивості кристалів селеніду індію InSe, опромінених електронами з енергією 9,2 МеВ. Спостережені екстремуми на температурних залежностях коефіцієнта Холла та холлівської рухливості електронів вздовж шарів пояснені в рамках моделі, яка передбачає змішану провідність по зоні провідності та домішковій зоні, утвореній донорними центрами. Модельні обчислення, що враховують перерозподіл носіїв між зонами, добре відтворюють експериментальні дані. Аналіз температурної зміни хімпотенціалу та обрахунки в моделі частково компенсованого донорного рівня додатково підтверджують існування домішкової зони, ширина якої становить 6 ÷ 8 меВ. Висока рухливість носіїв в ній зумовлена делокалізованим характером провідності.
