Дослідження процесів модуляції базової області кремнієвої p+р-n+-структури
Ключові слова:
кремнієва p р-n -структура, процес модуляції бази, залежність ємності від напруги, двосторонньо-дифузійна p р0-n -структура, дифузійно-епітаксиальна p р-і-n -структураАнотація
Проведено дослідження залежності ємності кремнієвих p+р-n+-структур від замикаючої напруги. Експериментально показано, що у двосторонньо-дифузійних структурах вольтємнісні характеристики відповідають кубічному закону за рахунок лінійного розподілу домішок у базовій області, при цьому прирощення ємності від замикаючої напруги мають постійну величину. У дифузійно-епітаксиальних структурах спостерігається різке зниження ємності в інтервалі напруг від 0 до 5 вольтів, що чітко проявляється в залежності динамічної ємності від замикаючої напруги. Залежності, які спостерігаються поясненюються рівномірною модуляцією базової області у двосторонньо-дифузійній структурі та сильній модуляції бази в дифузійно-епітаксиальній структурі за рахунок утворення p+р0-n+- і p+р-і-n+-структур у технологічних процесах одержання р-n-переходу.
