Вплив ультразвукового опромінення на властивості інжекційного фотоприймача на основі pSi-nCdS-n +CdS — структури і на густини поверхневих станів pSi-nCdS — гетероперехода

Автор(и)

  • И. Б. Сапаев Физико-технический институт, Научно-производственное объединение «Физика — Солнце»
  • Ш. А. Мирсагатов Физико-технический институт, Научно-производственное объединение «Физика — Солнце»

Ключові слова:

ультразвук, фотодіод, гетероперехід

Анотація

Визначено розподіл щільності поверхневих станів в залежності від величини поверхневого потенціалу на гетерограниці nCdS/Si (p). Встановлено, що ультразвукове опромінення зменшує щільності поверхневих станів і це призводить до підвищення спектральної і інтегральної чутливості фотодіода.

 

ультразвук; фотодіод; гетероперехід

Біографії авторів

  • автор И. Б. Сапаев, афіліація Физико-технический институт, Научно-производственное объединение «Физика — Солнце»
    с.н.с.
  • автор Ш. А. Мирсагатов, афіліація Физико-технический институт, Научно-производственное объединение «Физика — Солнце»
    с.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2017-07-05

Номер

Том 12 № 2 (2014): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Вплив ультразвукового опромінення на властивості інжекційного фотоприймача на основі pSi-nCdS-n +CdS — структури і на густини поверхневих станів pSi-nCdS — гетероперехода. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(2), 197-201. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8588

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають