Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In4Se3

Автор(и)

  • З. Д. Ковалюк Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівці
  • В. М. Катеринчук Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівці
  • Б. В. Кушнір Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівці
  • М. В. Товарницький Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівці

Ключові слова:

селенід індію, шаруваті кристали, гетеропереходи, атомно-силова мікроскопія, спектральні характеристики, вольт-амперні характеристики

Анотація

Методом прямого оптичного контакту створені гетеропереходи n-InSe–p-In4Se3 та p-InSe–nIn4Se3. За допомогою АСМ-зображень досліджено топологію ван-дер-ваальсової поверхні вихідних кристалів InSe та In4Se3. Побудована зонна діаграма гетеропереходу n-InSe–p-In4Se3. Виявлено, що для ГП n-InSe–p-In4Se3 коефіцієнт ідеальності ВАХ рівний 1,1. Встановлена область спектральної чутливості гетероструктур n-InSe–p-In4Se3 та p-InSe–n-In4Se3.

Біографії авторів

  • автор З. Д. Ковалюк, афіліація Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівці
    с.н.с.
  • автор В. М. Катеринчук, афіліація Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівці
    с.н.с.
  • автор Б. В. Кушнір, афіліація Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівці
    с.н.с.
  • автор М. В. Товарницький, афіліація Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівці
    с.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2017-04-05

Номер

Том 1 № 3 (2016): Журнал фізики та інженерії поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In4Se3. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 1(3), 242-245. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8309

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають

1 2 > >>