Фізичні явища в тонкобазових транзисторних структурах

Автор(и)

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце»
  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце»
  • О. А. Абдулхаев Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце»

Ключові слова:

p np-структура, n pnn -структура, тунельний, лавинний пробій, двобар’єрна структура, тонкобазова структура

Анотація

Експериментально доведено, що германієві p+np- і кремнієві n++pnn+-структури в режимі замикання переходу зі слаболегованою ділянкою виконують функцію біполярного транзистора з відповідним робочим діапазоном і фоточутливістю. У режимі замикання переходу із сильнолегованою ділянкою набувають поліпшені фотодіодні і транзисторні властивості, пов’язані з динамікою розширення областей об’ємного заряду і реалізацією тунельного та лавинного механізмів пробою.

Біографії авторів

  • автор А. В. Каримов, афіліація Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце»
    С.н.с.
  • автор Д. М. Ёдгорова, афіліація Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце»
    С.н.с.
  • автор О. А. Абдулхаев, афіліація Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце»
    С.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2017-02-24

Номер

Том 13 № 3 (2015): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Фізичні явища в тонкобазових транзисторних структурах. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(3), 330-334. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8025

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають