Явление памяти в двухбарьерной n++pnn+-структуре

Автор(и)

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
  • О. А. Абдулхаев Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз

Анотація

В двухбарьерной кремниевой n++pnn+-структуре в режиме запирания nn+-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память.

Біографії авторів

  • автор А. В. Каримов, афіліація Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
    Професор
  • автор Д. М. Ёдгорова, афіліація Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
    Д. ф.-м. н.
  • автор О. А. Абдулхаев, афіліація Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
    Н. с.

Завантаження

Опубліковано

2015-06-22

Номер

Том 12 № 3 (2014): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Явление памяти в двухбарьерной n++pnn+-структуре. (2015). Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(3), 357-359. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/2855

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають