Modeling of thermal processes high-frequency silicon p-i-n-diode

Authors

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
  • А. А. Каримов Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
  • А. З. Рахматов Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
  • К. Т. Дадаматова Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент

Keywords:

temperature, heat resistance, pulse, the thermal model, circuitry

Abstract

Thermal processes are considered in the high speed diode, allowing to define the dynamics of temperature changes in each part of the diode as a function of acting pulse duration, as well as to pre dict the maximum operating temperature. The results are of interest to optimize the electrical cha rac te ris tics and the materials of construction of power diodes.

 

temperature; heat resistance; pulse; the thermal model; circuitry

Author Biographies

  • А. В. Каримов, Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент

    С.н.с.

  • А. А. Каримов, Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
    С.н.с.
  • А. З. Рахматов, Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
    С.н.с.
  • К. Т. Дадаматова, Физико-технический институт НПO «Физика—Солнце», Ташкент
    С.н.с.

Published

2017-03-24

Issue

Vol. 12 No. 1 (2014): Фізична інженерія поверхні

Section

Статті

License

У відповідності з типовим шаблоном.

How to Cite

Modeling of thermal processes high-frequency silicon p-i-n-diode. (2017). Journal of Surface Physics and Engineering, 12(1), 14-19. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8160

Most read articles by the same author(s)