he characteristic parameters of charge carriers in the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied

Автор(и)

  • I. B. Berkutov B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine, Prospect Nauky 47, Kharkov, 61103, Ukraine International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, 50-985 Wroclaw, Poland The University of Manchester, Oxford Road, Manchester M13 9PL, UK
  • V. V. Andrievskii 1 B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine, Prospect Nauky 47, Kharkov, 61103, Ukraine 2 International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, 50-985 Wroclaw, Poland
  • Yu. F. Komnik B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine, Prospect Nauky 47, Kharkov, 61103, Ukraine
  • Yu. A. Kolesnichenko B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine, Prospect Nauky 47, Kharkov, 61103, Ukraine
  • A. I. Berkutova B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine, Prospect Nauky 47, Kharkov, 61103, Ukraine Karazin National University, Svobody sq. 4, Kharkov, 61022, Ukraine Pavol Jozef Šafárik University in Košice, , Angelinum 9, Košice, 040 01, Slovak Republic
  • O. A. Mironov International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, 50-985 Wroclaw, Poland Department of Physics, University of Warwick, Coventry CV4 7AL, UK Ukrainian State University of Railway Transport Fejerbakha sq. , 7, Kharkiv, 61050, Ukraine
  • N. V. Gleyzer Ukrainian State University of Railway Transport Fejerbakha sq. , 7, Kharkiv, 61050, Ukraine

Ключові слова:

магнітоопір, слабка локалізація

Анотація

Подано розрахунок кінетичних характеристик двовимірної системи носіїв заряду в дірковій гетероструктурі Si0.7Ge0.3/Si0.2Ge0.8/ Si0.7Ge0.3 за умов заселення двох квантових рівнів. Отримано значення концентрації, рухливості і ефективної маси носіїв заряду на кожному з квантових рівнів. Проведено аналіз ефектів слабкої локалізації носіїв заряду в умовах сильних спін-орбітальних ефектів. Отримано значення часів фазової релаксації і спін - орбітальної взаємодії носіїв заряду, а також величини спінового розщеплення. Отримані результати добре відповідають наявним теоретичним моделям.

Завантаження

Опубліковано

2016-12-28

Номер

№ 23 (2015): Journal of V.N. Karazin Kharkiv National University, series "Physics"

Розділ

Статті

Як цитувати

he characteristic parameters of charge carriers in the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied. (2016). Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Фізика», 23, 52-56. https://periodicals.karazin.ua/physics/article/view/7775

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають