Дослідження електричних і фотоелектричних властивостей Іn-CdSxTe1-х-Sі-Іn-структури

Автор(и)

Ключові слова:

твердий розчин, плівка, спектр, фоточутливість

Анотація

Виготовлено гетеропереходи n/Sі-n/CdSxTe1-x методом вакуумного напилювання плівки твердого розчину CdSxTe1-x на поверхню монокристалічного n/Sі. Досліджено основні електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів. Визначено значення постійних кристалічних ґраток твердого розчину CdSxTe1-x на границі гетероструктури n/Si-n/CdSxTe1-x.

 

 

Біографія автора

  • автор И. Б. Сапаев, афіліація Physical and Technical Institute
    с.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2017-07-28

Номер

Том 11 № 2 (2013): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Дослідження електричних і фотоелектричних властивостей Іn-CdSxTe1-х-Sі-Іn-структури. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(2), 223-227. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8776

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають