Про температурну залежність ширини забороненої зони Si

Автор(и)

  • G. Guliamov Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan
  • U. I. Erkaboev Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan
  • N. Y. Sharibaev Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan Namangan Engineering Institute of Technology Uzbekistan

Ключові слова:

ширина забороненої зони, ефективна маса густини станів, енергетичний спектр, чисельний експеримент і моделювання

Анотація

За допомогою математичного моделювання процесу термічного розширення енергетичних рівнів досліджена температурна залежність ширини забороненої зони напівпровідників. З урахуванням температурної залежності ефективної маси густини станів отримані графіки температурної залежності ширини забороненої зони. Досліджено вплив змінювання ефективної маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини забороненої зони в напівпровідниках. Теоретичні результати математичного моделювання порівнюються з експериментальними даними для Si. Результати теорії задовільно пояснюють експериментальні результати для Si.

 

 

Біографії авторів

  • автор G. Guliamov, афіліація Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan
    с.н.с.
  • автор U. I. Erkaboev, афіліація Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan
    с.н.с.
  • автор N. Y. Sharibaev, афіліація Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan Namangan Engineering Institute of Technology Uzbekistan
    с.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2017-07-21

Номер

Том 11 № 3 (2013): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Про температурну залежність ширини забороненої зони Si. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(3), 289-292. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8762

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають