Вузлова міграція в двовимірній гексагональній наноструктурі з протяжними спотворюваннями

Автор(и)

  • А. С. Долгов Национальный Аэрокосмический Университет им. Н. Е. Жуковского «ХАИ»
  • Ю. Л. Жабчик Национальный Аэрокосмический Университет им. Н. Е. Жуковского «ХАИ»

Ключові слова:

графен, домішка, вузлове розміщення, міграція, протяжні спотворення

Анотація

Вивчається міграція домішкових атомів в двовимірній гексагональної сітці, що моделює графен або споріднені наноструктури. Розглядаються різні варіанти позиціонування суб’єктів міграції, сумісні з гексагональною симетрією матриці. Визначається зміна в часі головних момен тів функцій розподілу в процесі еволюції початкового стану. Встановлено, що залежність від часу середнього квадрата зміщення часток може істотно відхиляться від чисто дифузійних закономірностей, що зближує розглянутий процес з властивостями аномальної дифузії. Показується, що спотворення деформаційної природи ведуть до більш значних якісних змін переносу, ніж порівнювані температурні. При цьому обидві названі форми впливу можуть служити за собом перерозподілу часток і відповідної зміни характеристик структури.

 

графен; домішка; вузлове розміщення; міграція; протяжні спотворення

Біографії авторів

  • автор А. С. Долгов, афіліація Национальный Аэрокосмический Университет им. Н. Е. Жуковского «ХАИ»
    с.н.с.
  • автор Ю. Л. Жабчик, афіліація Национальный Аэрокосмический Университет им. Н. Е. Жуковского «ХАИ»
    с.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2017-07-05

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають