Створення гетероструктури n-InSe-графіт
Ключові слова:
InSe, графіт, шаруватий кристалл, гетероструктураАнотація
В даній роботі представлено створення гетероструктури n-InSe-графіт на основі шаруватого кристала InSe за допомогою олівця марки 4 в. Було виміряно вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики даної структури, досліджено спектр фоточутливості, та встановлено основні механізми струмопереносу.
Завантаження
Опубліковано
2017-04-05
Номер
Розділ
Статті
Ліцензія
У відповідності з типовим шаблоном.Як цитувати
Створення гетероструктури n-InSe-графіт. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 1(3), 251-254. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8311