Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами SI+ плівок залізо-ітрієвого гранату

Автор(и)

  • В. М. Пилипів Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • В. О. Коцюбинський Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • О. З. Гарпуль Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • І. М. Гасюк Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника

Ключові слова:

залізо­ітрієвий гранат, рентгенівська фотоелектронна спектроскопія, електронні рівні

Анотація

Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si+ з дозою 5·1013 см–2 та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією.

Біографії авторів

  • автор В. М. Пилипів, афіліація Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
    с.н.с.
  • автор В. О. Коцюбинський, афіліація Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
    с.н.с.
  • автор О. З. Гарпуль, афіліація Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника

    с.н.с.

  • автор І. М. Гасюк, афіліація Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
    с.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2017-03-24

Номер

Том 12 № 1 (2014): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами SI+ плівок залізо-ітрієвого гранату. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(1), 39-44. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8228

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають