Еволюція структури і механізм термічного руйнування багатошарових композицій C/SI

Анотація

Досліджено структуру та фазовий склад багатошарових періодичних композицій C/Si за допомогою малокутової рентгенівської дифракції, просвічувальної електронної мікроскопії та Раманівської спектроскопії при температурах 50—1050 °C. У початковому стані композиція C/Si є аморфними шарами вуглеця та кремнію, розділеними аморфними змішаними зонами різної густини. Зі зростанням температури відбувається змінення періоду композиції внаслідок зро­стання зон та графітизації вуглецю. При 700 °C починається кристалізація кремнію. При 800 °C на основі кристалічного кремнію формується кристалічний SiC кубічної модифікації. При 900—1000 °C відбувається руйнування періодичної структури композиції.